本文關(guān)鍵詞：石墨烯及其鹵化物的合成與應(yīng)用，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

碩士學(xué)位論文 論文題目 石墨烯及其鹵化物的合成與應(yīng)用 研究生姓名 范麗巍 指導(dǎo)教師姓名 孫旭輝 專業(yè)名稱 材料科學(xué)與工程 研究方向 半導(dǎo)體納米材料與應(yīng)用 論文提交日期 2015 年4 月 石墨烯及其鹵化物的合成與應(yīng)用 中文摘要 中文摘要 石墨烯由于其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，如高電子遷移率、高楊氏模量、大比表 面積及良好的透光性等，近十年來吸引了科學(xué)家們的大量關(guān)注。盡管石墨烯表現(xiàn) 出廣泛的潛在應(yīng)用，但其零帶隙特性又阻礙了它代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅電子器件。化學(xué)改 性是打開石墨烯能帶的一種有效途徑。與物理吸附相比，在未來的電子器件中， 對石墨烯進(jìn)行共價改性無疑是一種更可靠的方法。鹵化石墨烯是石墨烯的一類衍 生物，它包括氟化石墨烯 FG 、氯化石墨烯、溴化石墨烯和碘化石墨烯。尤其是 氟化石墨烯及氯化石墨烯，在過去幾年里，已經(jīng)用不同的方法制得，例如：機(jī)械 剝離氟化石墨、氟化氙化學(xué)吸附、氟源氣體等離子體 plasma 處理石墨烯等，并 已應(yīng)用在高蓄電池及潤滑劑中的研究中。而氯化石墨烯主要由氯氣與石墨烯反應(yīng) 制得，存在一定的危險性。本論文主要探討了單層可控FG 的制備及其在氣體傳 感器中的應(yīng)用與一步法合成氯摻雜單層石墨烯。 首先，我們研究了單層氟化石墨烯的含氟量，發(fā)現(xiàn)通過控制六氟化硫plasma 的處理時間，可以得到不同含氟量的單層FG 。Raman 研究結(jié)果表明，氟化過程 會導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生。XPS 結(jié)果則顯示，含氟量達(dá)到最大值后，再增加處理時間會 使含氟量逐漸降低。而在干燥大氣中，經(jīng)六氟化硫plasma 處理制得的FG 在室溫 下是相對穩(wěn)定的，一個月內(nèi)，含氟量下降了不到 20% 。此外，F(xiàn)G 的含氟量也是 影響其透光

  本文關(guān)鍵詞：石墨烯及其鹵化物的合成與應(yīng)用，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。