本文關(guān)鍵詞：低溫制備摻雜石墨烯，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

國(guó)內(nèi)圖書(shū)分類(lèi)號(hào)：O649.4 學(xué)校代碼：10213 國(guó)際圖書(shū)分類(lèi)號(hào)：544.466.468 密級(jí)：公開(kāi) 理學(xué)碩士學(xué)位論文 低溫制備摻雜石墨烯 碩士研究生：李俊杰 導(dǎo) 師：胡平安 教授 申 請(qǐng) 學(xué) 位：理學(xué)碩士 學(xué) 科：物理化學(xué) 所 在 單 位：應(yīng)用化學(xué)系 答 辯 日 期：2013 年6 月30 日 授予學(xué)位單位：哈爾濱工業(yè)大學(xué) 哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文 Classified Index: O649.4 U.D.C.: 544.466.468 Dissertation for the Master Degree in Science LOW-TEMPERATURE GROWTH OF DOPED GRAPHENE Candidate: Junjie Li Supervisor: Prof. PingAn Hu Academic Degree Applied for: Master of Science Specialty: Physical chemistry Affiliation: Department of chemistry Date of Defence: June, 30th, 2013 Degree-Conferring-Institution : Harbin Institute of Technology II 哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文 摘 要 2004年英國(guó)Manchester 大學(xué)的Geim等人發(fā)現(xiàn)單層石墨烯，并因此獲得了2010 年的諾貝爾獎(jiǎng)。這一發(fā)現(xiàn)立刻震撼了科學(xué)界，隨后這種新型碳材料成為材料學(xué)和 物理學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。化學(xué)氣相沉積（CVD）是制備大面積、高質(zhì)量石墨烯 的有效方法，目前CVD 生長(zhǎng)石墨烯存在的問(wèn)題是反應(yīng)溫度高（~ 1000 ℃），這對(duì)設(shè) 備及操作具有較高的要求，因此低溫生長(zhǎng)石墨烯具有重要的意義。針對(duì)這一問(wèn)題， 本文研究采用芳香化合物為原料，低溫制備氮摻雜與硫摻雜的石墨烯，對(duì)其結(jié)構(gòu) 和性能進(jìn)行表征，并進(jìn)一步研究了反應(yīng)機(jī)理，取得了一系列重要的創(chuàng)新性的研究 成果： 分別采用五氯吡啶與四溴噻吩作為碳源，成功地在230 ℃和300 ℃下制備出 了大面積、高質(zhì)量且均一性良好的氮摻雜與硫摻雜石墨烯。通過(guò)對(duì)其進(jìn)行的一系 列表征表明，，所制備的氮摻雜石墨烯主要以單層為主，其厚度約為0.8~1.2 納

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