g-C_3N_4及其復(fù)合材料的制備及光降解性能的研究
本文關(guān)鍵詞:g-C_3N_4及其復(fù)合材料的制備及光降解性能的研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
g-C_3N_4及其復(fù)合材料的制備及光降解性能的研究
【摘要】:本論文考察了g-C3N4及復(fù)合材料的制備和表征,并研究了在可見(jiàn)光或紫外光下降解甲基橙(MO)的性能。石墨型碳氮化合物(g-C3N4)具有可以吸收太陽(yáng)能、化學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、有合適的氧化電勢(shì)等優(yōu)良性質(zhì),因此受到研究工作者越來(lái)越廣泛的關(guān)注。以三聚氰胺、尿素、雙氰胺等富氮有機(jī)物為前驅(qū)體就可以制備g-C3N4。目前,盡管制備碳氮化合物(g-C3N4)的方法有許多種,但是比較簡(jiǎn)單的能大規(guī)模合成g-C3N4的方法還需要進(jìn)一步的探索研究。以納米半導(dǎo)體材料為催化劑,利用太陽(yáng)能綠色技術(shù),直接光催化分解水和降解有機(jī)污染物具有廣泛的應(yīng)用前景。但是由于單一半導(dǎo)體材料的光生電子-空穴對(duì)具有較高的復(fù)合率和對(duì)光的利用率低,導(dǎo)致其光催化效率會(huì)較低。為了克服單一半導(dǎo)體材料的這些缺點(diǎn),增強(qiáng)催化劑對(duì)光的吸收范圍和抑制光生電子-空穴對(duì)的復(fù)合效率,并提高其光催化效率已經(jīng)成為納米半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究熱點(diǎn)。本文主要利用簡(jiǎn)單的機(jī)械混合法和一步焙燒法制備了g-C3N4-NiO、g-C3N4-Zn0和g-C3N4-La2O3催化劑,并通過(guò)FT-IR、BET、XRD、SEM、PL等多種手段對(duì)催化劑進(jìn)行了表征,并在紫外光或可見(jiàn)光下降解MO來(lái)評(píng)價(jià)催化劑的光催化活性,同時(shí)考察了制備方法和g-C3N4的加入量對(duì)催化劑光降解效率的影響。通過(guò)實(shí)驗(yàn),我們得出下面的結(jié)論:(1)制備方法和g-C3N4的加入量是影響催化劑活性的兩個(gè)主要因素,機(jī)械混合法制備的催化劑的活性低于經(jīng)過(guò)焙燒以后制備的催化劑活性,這由實(shí)驗(yàn)g-C3N4和
本文關(guān)鍵詞:g-C_3N_4及其復(fù)合材料的制備及光降解性能的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào):190382
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/190382.html