印染廢水和抗生素廢水具有組成復雜、有機污染物濃度高、毒性大、難生物降解等特點,是公認的最難處理的廢水之一。印染廢水和抗生素廢水的排放對水環(huán)境和人類健康都造成極大的威脅。光催化技術作為一項新型的污染處理技術,由于其高效率、低成本、無污染、制作簡單等特點,具有廣泛的應用前景。類石墨相氮化碳（g-C3N4）半導體材料因具有穩(wěn)定性好、價廉、能帶結構易于調控和較高的太陽能轉化率等特性而在光催化領域具有廣泛的應用前景。然而g-C3N4由于電子-空穴對復合快,比表面積小,光催化活性較差。目前通過物理復合改性、化學摻雜改性等方式提高光催化活性。本論文,煅燒法制備出金屬摻雜g-C3N4材料后,通過油浴法制備AgInS2系列復合樣品,通過旋轉蒸發(fā)法制備Ti02、NaBi03系列二元及三元復合樣品,通過水熱法制備Sn/BiOI系列復合樣品。使用X-射線衍射（XRD）、紅外光譜（FT-IR）、掃描電子顯微鏡（SEM）、熒光光譜（PL）、紫外可見漫反射光譜（UV-visDRS）、光電子能譜（XPS）等表征手段研究復合光催化劑的晶體結構、表面形貌、光學性能。并分別以羅丹明B（RhB）、活性艷紅（X3B）、4-對氯... 

【文章來源】：南京信息工程大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１所示［１１１，光催化技術是一種高級氧化技術，半導體光催化劑吸收能量大于??

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【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3623394