針對(duì)g-C₃N₄作為可見(jiàn)光催化劑降解污染物過(guò)程中存在的比表面積小、光生電子-空穴對(duì)復(fù)合率高和g-C₃N₄異質(zhì)結(jié)催化氧化能力弱的問(wèn)題和不足,本論文通過(guò)特定的制備方法合成了大比表面積的g-C₃N₄、與強(qiáng)氧化劑形成Z型異質(zhì)結(jié)、摻雜過(guò)渡金屬提高光催化性能及穩(wěn)定性。g-C₃N₄光催化劑的催化性能可以通過(guò)改變制備方法、與強(qiáng)氧化半導(dǎo)體復(fù)合來(lái)改善。本課題采用“二次煅燒+酸深度處理”的方法構(gòu)筑具有大比表面介孔g-C₃N₄可見(jiàn)光催化劑載體,為催化降解提供充足的吸附與反應(yīng)活性位點(diǎn),并與Ag₃PO₄復(fù)合獲得具有強(qiáng)氧化能力的g-C₃N₄/Ag₃PO₄異質(zhì)結(jié),發(fā)現(xiàn)其穩(wěn)定性有改善的空間。甲基橙降解效果表明,復(fù)合材料的光催化降解性能得到改善,TOC分析表明復(fù)合Ag

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半導(dǎo)體光催化過(guò)程的基本機(jī)理示意圖

第一章 緒論ui 等人[54]用光還原法制得 Ag/g-C3N4，光催化劑機(jī)理如圖 1-4 電帶向 Ag 的電荷轉(zhuǎn)移可以減少光生電子-空穴對(duì)的組合。在 A Ag 納米顆粒可以立即清除光生電子以產(chǎn)生肖特基勢(shì)壘，從而合，同時(shí)，隨著光生電子跳躍到金屬銀表面，金屬銀的 Fermi NHE）轉(zhuǎn)移到-0.046 eV，從而可以利用解氧被還原為 O2-·自。

華南理工大學(xué)碩士學(xué)位論文殼納米線，使用 Na2S 和 Na2SO3作為犧牲劑來(lái)評(píng)價(jià)這些樣品的光催化制氫活性。結(jié)果明，在自發(fā)吸附過(guò)程中，g-C3N4成功地涂覆在 CdS 納米線上，并且能夠顯著提高 Cd米線的光催化制氫速率，在 g-C3N4含量為 2 wt％時(shí)達(dá)到最佳值 4152 μmol·h-1·g-1。更要的是，即使在非人工系統(tǒng)中，g-C3N4涂層也可以顯著增強(qiáng) CdS 納米線的光穩(wěn)定性-C3N4和 CdS 之間的協(xié)同作用可以有效地加速電荷分離，并將腐蝕性空穴從 CdS 轉(zhuǎn)移強(qiáng)大的 g-C3N4，認(rèn)為這種Ⅱ類異質(zhì)結(jié)的 CdS/g-C3N4(2 wt%)可以加速電荷載體分離和抑 CdS 腐蝕的正協(xié)同效應(yīng)，從而大大提高了光催化活性和光穩(wěn)定性，其光降解機(jī)理如圖-5 所示。


本文編號(hào)：3571989