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復合半導體光催化材料Bi 2 MoO 6 /ZnSnO 3 的制備及其對亞甲基藍降解效果的研究

發(fā)布時間:2021-11-14 16:26
  作為高級氧化技術之一的半導體光催化技術憑借其高效、環(huán)保節(jié)能、成本低等優(yōu)勢,激起了國內(nèi)外研究學者的廣泛興趣,掀起了半導體光催化技術的研究熱潮。但是,隨著研究的深入,人們發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)的半導體具有激發(fā)波長范圍狹窄、光激發(fā)產(chǎn)生的載流子復合速率高等弊端,降低了光催化劑對光能利用率,嚴重限制了半導體光催化技術的發(fā)展。為了突破目前面臨的瓶頸,開發(fā)新型光催化劑的同時,通過與其他窄帶隙半導體的復合以構造異質(zhì)結也逐漸成為了人們的研究熱點。目前鉍系半導體光催化劑由于其特殊的晶體結構、無毒、原料豐富等優(yōu)勢,受到了人們的青睞。本研究以新型半導體材料鉬酸鉍為基礎,通過與錫酸鋅的結合來構造異質(zhì)結對其進行改性。因此,本研究具體的工作如下:第一:耦合溶劑熱法與煅燒法成功的制備出了一系列Bi2MoO6/ZnSnO3復合光催化劑。為了評估合成的復合物的光催化性能,以亞甲基藍為目標污染物進行研究,結果表明Bi2MoO6/ZnSnO3的光催化降解能力明顯高于Bi2MoO... 

【文章來源】:湖南大學湖南省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:63 頁

【學位級別】:碩士

【圖文】:

復合半導體光催化材料Bi 2 MoO 6 /ZnSnO 3 的制備及其對亞甲基藍降解效果的研究


類花狀與類餅狀納米結構形成機理[49]

能譜圖,全譜


復合半導體光催材料 Bi2MoO6/ZnSnO3的制備及其對亞甲基藍降解效果的研究3.2 X 射線光電子能譜(XPS)為了進一步分析制備的光催化劑材料中各種元素的化學狀態(tài)和化合價,采X射線光電子能譜對材料進行表征,得到系列以 C 1s 作為襯底的數(shù)據(jù)。圖 3.與圖 3.3 得到的是 5-Bi2MoO6/ZnSnO3的全譜圖以及 Sn、Zn、 Bi 、Mo 四種元的高分辨光 XPS 能譜圖。其中,5-Bi2MoO6/ZnSnO3的全譜圖(圖 3.2)顯示除Bi、Mo,、Sn,、Zn、C 和 O 元素的峰外,沒有發(fā)現(xiàn)其他元素的峰,表明材料的合成及表征過程中沒有其他雜質(zhì)的引入。

掃描圖,掃描圖,化學態(tài),單體


單體中 Bi 原子的 Bi4f 5/2 和 Bi 4f 7/2 化學態(tài)結合能的位置相比并沒有發(fā)生明顯的改變。此外,由圖3.3b可知,在BiMoO6單體中,Mo原子的兩個強特征峰的結合能分別為232.41eV 和 235.55 eV,對應于 Mo6+的 Mo 3d 5/2 和 Mo 3d 3/2 兩個化學態(tài),當引入ZnSnO3后,復合材料中雙峰的位置分別轉移至 232.53 eV 和 235.67 eV 處,暗示著 ZnSnO3影響了 BiMoO6的表面化學環(huán)境。在 Zn 2p 的高分辨光 XPS 能譜圖(圖3.3)中,位于 1044.93 eV 和 1021.78 eV 兩個峰分別對應于 ZnSnO3中 Zn2+的 Zn2p 1/2 和 Zn 2p 3/2 的兩個化學態(tài)[66]。與 ZnSnO3單體相比

【參考文獻】:
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碩士論文
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本文編號:3494966

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