作為高級氧化技術(shù)之一的半導(dǎo)體光催化技術(shù)憑借其高效、環(huán)保節(jié)能、成本低等優(yōu)勢,激起了國內(nèi)外研究學(xué)者的廣泛興趣,掀起了半導(dǎo)體光催化技術(shù)的研究熱潮。但是,隨著研究的深入,人們發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)的半導(dǎo)體具有激發(fā)波長范圍狹窄、光激發(fā)產(chǎn)生的載流子復(fù)合速率高等弊端,降低了光催化劑對光能利用率,嚴(yán)重限制了半導(dǎo)體光催化技術(shù)的發(fā)展。為了突破目前面臨的瓶頸,開發(fā)新型光催化劑的同時(shí),通過與其他窄帶隙半導(dǎo)體的復(fù)合以構(gòu)造異質(zhì)結(jié)也逐漸成為了人們的研究熱點(diǎn)。目前鉍系半導(dǎo)體光催化劑由于其特殊的晶體結(jié)構(gòu)、無毒、原料豐富等優(yōu)勢,受到了人們的青睞。本研究以新型半導(dǎo)體材料鉬酸鉍為基礎(chǔ),通過與錫酸鋅的結(jié)合來構(gòu)造異質(zhì)結(jié)對其進(jìn)行改性。因此,本研究具體的工作如下:第一:耦合溶劑熱法與煅燒法成功的制備出了一系列Bi₂MoO₆/ZnSnO₃復(fù)合光催化劑。為了評估合成的復(fù)合物的光催化性能,以亞甲基藍(lán)為目標(biāo)污染物進(jìn)行研究,結(jié)果表明Bi₂MoO₆/ZnSnO₃的光催化降解能力明顯高于Bi₂MoO_... 

【文章來源】：湖南大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【圖文】：

類花狀與類餅狀納米結(jié)構(gòu)形成機(jī)理[49]

復(fù)合半導(dǎo)體光催材料 Bi2MoO6/ZnSnO3的制備及其對亞甲基藍(lán)降解效果的研究3.2 X 射線光電子能譜(XPS)為了進(jìn)一步分析制備的光催化劑材料中各種元素的化學(xué)狀態(tài)和化合價(jià)，采Ｘ射線光電子能譜對材料進(jìn)行表征，得到系列以 C 1s 作為襯底的數(shù)據(jù)。圖 3.與圖 3.3 得到的是 5-Bi2MoO6/ZnSnO3的全譜圖以及 Sn、Zn、 Bi 、Mo 四種元的高分辨光 XPS 能譜圖。其中，5-Bi2MoO6/ZnSnO3的全譜圖（圖 3.2）顯示除Bi、Mo,、Sn,、Zn、C 和 O 元素的峰外，沒有發(fā)現(xiàn)其他元素的峰，表明材料的合成及表征過程中沒有其他雜質(zhì)的引入。

單體中 Bi 原子的 Bi4f 5/2 和 Bi 4f 7/2 化學(xué)態(tài)結(jié)合能的位置相比并沒有發(fā)生明顯的改變。此外，由圖3.3b可知，在BiMoO6單體中，Mo原子的兩個(gè)強(qiáng)特征峰的結(jié)合能分別為232.41eV 和 235.55 eV，對應(yīng)于 Mo6+的 Mo 3d 5/2 和 Mo 3d 3/2 兩個(gè)化學(xué)態(tài)，當(dāng)引入ZnSnO3后，復(fù)合材料中雙峰的位置分別轉(zhuǎn)移至 232.53 eV 和 235.67 eV 處，暗示著 ZnSnO3影響了 BiMoO6的表面化學(xué)環(huán)境。在 Zn 2p 的高分辨光 XPS 能譜圖（圖3.3）中，位于 1044.93 eV 和 1021.78 eV 兩個(gè)峰分別對應(yīng)于 ZnSnO3中 Zn2+的 Zn2p 1/2 和 Zn 2p 3/2 的兩個(gè)化學(xué)態(tài)[66]。與 ZnSnO3單體相比

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3494966