半導體光催化氧化技術具有設備簡單、能耗低、反應條件溫和等特性,成為環(huán)境領域中解決環(huán)境污染問題的有效途徑之一。Ag₂CO₃光催化材料因其獨特的電子結(jié)構(gòu),較窄的禁帶寬度而具有良好的催化氧化能力。然而純Ag₂CO₃光催化劑容易發(fā)生光腐蝕且分離回收困難,嚴重影響了其實際應用。基于此,針對Ag₂CO₃的缺點,以提高其光催化活性和穩(wěn)定性為目的,本文將其與其他材料結(jié)合,構(gòu)建了高效實用的Ag₂CO₃基復合光催化劑（ZnFe₂O₄/Ag₂CO₃和rGO-ZnFe₂O₄/Ag₂CO₃）,并探討了復合光催化劑降解雙酚A（BPA）的性能和機理。具體的內(nèi)容和結(jié)論如下:（1）成功制備了不同質(zhì)量比的ZnFe₂O₄/Ag

【文章來源】：湘潭大學湖南省

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體光催化材料能帶激發(fā)原理示意圖

論文研究思路Fig.1.3Theresearchideasofthethesis

4）然后用無水乙醇和超純水洗滌沉淀，60 ℃下真空干燥 12 h。磨成粉 目篩，即得到一系列不同質(zhì)量比的 ZnFe2O4/Ag2CO3復合光催化材料，合 材 料 中 ZnFe2O4的 含 量 分 別 命 名 為 ZnFe2O4/Ag2CO3(1:44/Ag2CO3(1:2)、ZnFe2O4/Ag2CO3(1:1)。在不添加 ZnFe2O4的情況下制備CO3。其制備過程示意圖如圖 2.1 所示。

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號：3387605