17β-雌二醇等環(huán)境內(nèi)分泌干擾物在水體中分布廣、濃度低,對(duì)生態(tài)系統(tǒng)及人體危害性大。本研究在金電極表面通過多壁碳納米管（MWCNTs）的靜電吸附作用與Nafion膜的離子交換作用結(jié)合納米二氧化硅（SiO₂）,固定化Ru（bpy）₃²⁺,制備Ru（bpy）₃²⁺/MWCNTs-Nafion-SiO₂修飾電極,提高了修飾電極的靈敏性。通過溶膠-凝膠法制備分子印跡膜提高修飾電極的選擇特異性,制得分子印跡-電化學(xué)發(fā)光傳感器（ECL-MIPs）。在優(yōu)化條件下,即p H 7.4磷酸鹽緩沖溶液中,以掃速100 m V/s富集20 min,對(duì)17β-雌二醇進(jìn)行檢測(cè),電化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度與17β-雌二醇濃度在0.03².00μg/L范圍內(nèi)有良好線性關(guān)系,檢出限為0.006μg/L。此傳感器可用于實(shí)際水樣中的17β-雌二醇雌二醇的檢測(cè),回收率為88.7%¹05.0%。 

【文章來源】：分析化學(xué). 2016年10期 北大核心

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

羧基化的MWCNTs、(B)Nafion-SiO2以及(C)復(fù)合材料(MWCNTs-Nafion-SiO2)的掃描電鏡圖

圖3MIPs、NIPs的原子力顯微鏡表征圖(A、B分別為未洗脫NIPs、洗脫NIPs，C、D分別為未洗脫MIPs、洗脫MIPs)Fig．3AFMimagesoftheMIPs，NIPs(A，BareNIPs，respectively;C，DareMIPsbeforeandafterelutingrespectively)分子后接觸到發(fā)光層導(dǎo)致有很大的發(fā)光信號(hào)。而ECL-NIPs修飾電極表面有一層致密的非印跡膜，膜中并不存在E2識(shí)別位點(diǎn)，因此E2分子不能被非印跡膜識(shí)別，從而不能與發(fā)光層中的Ru(bpy)2+3接觸產(chǎn)生發(fā)光信號(hào)，故發(fā)光強(qiáng)度極弱。這說明只有ECL-MIPs傳感器中存在E2識(shí)別位點(diǎn)，用于E2的測(cè)定具有很高的靈敏度。圖4在0．1mol/LPBS溶液中，(A)ECL-MIPs傳感器未吸附E2(曲線a)與吸附E2(曲線b)的循環(huán)伏安曲線圖(掃速:100mV/s);(B)ECL-MIPs傳感器吸附E2(曲線a)、未吸附E2(曲線b)與ECL-NIPs傳感器吸附E2(曲線c)、未吸附E2(曲線d)的電化學(xué)發(fā)光響應(yīng)曲線(E2濃度:100μg/L)Fig．4(A)CyclicvoltammogramsofECL-MIPssensorbefore(curvea)andafteradsorptionof17β-estradiol(E2)(curveb)．scanrate:100mV/s．(B)ECLresponsesofECL-MIPssensorwith(curvea)andwithout(curveb)adsorptionofE2;ECL-NIPssensorwith(curvec)andwithout(curved)adsorptionofE2．Concen-trationsofE2:100μg/L．Buttersystem:0．1mol/LPBS3．4ECL-MIPs傳感器的電化學(xué)阻抗表征通過電化學(xué)交流阻抗譜表征ECL-MIPs傳感器的表面性質(zhì)，交流阻抗上高頻區(qū)的半圓直徑反映了電阻轉(zhuǎn)移阻抗Rct的大校圖5中，裸電極的阻抗曲線(曲線a)半圓直徑很小，說明電阻較小(R=500Ω)。當(dāng)Ru(bpy)2+3/MWCNTs-Nafion-SiO2修飾電極(曲線b)后，阻抗圖上顯示近乎一條直線，說明MWCNTs-Nafion-SiO2增大了電子轉(zhuǎn)移速率。當(dāng)修飾上MIPs膜?

Ps的原子力顯微鏡表征圖(A、B分別為未洗脫NIPs、洗脫NIPs，C、D分別為未洗脫MIPs、洗脫MIPs)Fig．3AFMimagesoftheMIPs，NIPs(A，BareNIPs，respectively;C，DareMIPsbeforeandafterelutingrespectively)分子后接觸到發(fā)光層導(dǎo)致有很大的發(fā)光信號(hào)。而ECL-NIPs修飾電極表面有一層致密的非印跡膜，膜中并不存在E2識(shí)別位點(diǎn)，因此E2分子不能被非印跡膜識(shí)別，從而不能與發(fā)光層中的Ru(bpy)2+3接觸產(chǎn)生發(fā)光信號(hào)，故發(fā)光強(qiáng)度極弱。這說明只有ECL-MIPs傳感器中存在E2識(shí)別位點(diǎn)，用于E2的測(cè)定具有很高的靈敏度。圖4在0．1mol/LPBS溶液中，(A)ECL-MIPs傳感器未吸附E2(曲線a)與吸附E2(曲線b)的循環(huán)伏安曲線圖(掃速:100mV/s);(B)ECL-MIPs傳感器吸附E2(曲線a)、未吸附E2(曲線b)與ECL-NIPs傳感器吸附E2(曲線c)、未吸附E2(曲線d)的電化學(xué)發(fā)光響應(yīng)曲線(E2濃度:100μg/L)Fig．4(A)CyclicvoltammogramsofECL-MIPssensorbefore(curvea)andafteradsorptionof17β-estradiol(E2)(curveb)．scanrate:100mV/s．(B)ECLresponsesofECL-MIPssensorwith(curvea)andwithout(curveb)adsorptionofE2;ECL-NIPssensorwith(curvec)andwithout(curved)adsorptionofE2．Concen-trationsofE2:100μg/L．Buttersystem:0．1mol/LPBS3．4ECL-MIPs傳感器的電化學(xué)阻抗表征通過電化學(xué)交流阻抗譜表征ECL-MIPs傳感器的表面性質(zhì)，交流阻抗上高頻區(qū)的半圓直徑反映了電阻轉(zhuǎn)移阻抗Rct的大校圖5中，裸電極的阻抗曲線(曲線a)半圓直徑很小，說明電阻較小(R=500Ω)。當(dāng)Ru(bpy)2+3/MWCNTs-Nafion-SiO2修飾電極(曲線b)后，阻抗圖上顯示近乎一條直線，說明MWCNTs-Nafion-SiO2增大了電子轉(zhuǎn)移速率。當(dāng)修飾上MIPs膜，即洗脫模板

【參考文獻(xiàn)】：
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