離子印跡聚合物選擇性去除水體中銻(Ⅲ)的研究
【學(xué)位單位】:南昌航空大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:X52
【部分圖文】:
結(jié)果與討論 吸附等溫線用了吸附平衡實(shí)驗(yàn)確定了 Sb(III)初始濃度范圍為 20-250 m)-IIP 和 NIP 對(duì) Sb(III)的吸附容量。圖 2-1 顯示了 Sb(III)-IIP 和 N)的吸附等溫線,其中,實(shí)線是 Langmuir 模型非線性擬合的吸附曲Freundlich 模型非線性擬合的吸附曲線。在吸附平衡狀態(tài)下,隨)濃度的增加,兩種吸附劑的吸附容量都是增加的,并且一開(kāi)始增后緩慢的增加,最后達(dá)到飽和。在相同的平衡濃度下,IIP 對(duì) S量明顯高于 NIP 的吸附容量,且 IIP 和 NIP 的最大吸附容量分別(III)/g,12.6 mg Sb(III)/g,IIP 的最大吸附容量是 NIP 的 1.89 倍。,IIP 對(duì)模板離子 Sb(III)有優(yōu)勢(shì)吸附,具有顯著的印跡效果。
學(xué)碩士學(xué)位論文 第二章 亞銻酸根離子印跡聚合及其吸附水中銻吸附對(duì)平衡吸附有顯著作用的快速初始階段,而第二階段對(duì)獻(xiàn)相對(duì)較小。由圖可得,Sb(III)-IIP 的吸附量始終大于 NIP 的in 內(nèi),兩種吸附劑對(duì) Sb(III)的吸附量都隨著時(shí)間的增加急劇吸附的第一階段吸附劑有足夠多的吸附位點(diǎn);之后隨著時(shí)加緩慢直到 120 min,吸附大致達(dá)到平衡。雖然兩種吸附劑,但可以進(jìn)一步用吸附初始速率(h0) (見(jiàn)表 2-4) 來(lái)解釋吸附始速率(2.42 mg·g 1·min 1)大于 NIP 的吸附初始速in 1),較高的 h0值是由于較多數(shù)量的吸附位點(diǎn),以及 IIP 的)之間具有更高的親和力和幾何匹配。因此,印跡作用提高了)的吸附性能。
表 2-4 Sb(III)-IIP 和 NIP 對(duì) Sb(III)的準(zhǔn)一級(jí)和準(zhǔn)二級(jí)吸附動(dòng)力學(xué)擬合參數(shù)Table 2-4 Kinetic Constant Values for Sb(III) Adsorption on Sb(III)-IIP and NIPbentpseudo-fist-orderapseudo-second-ordk1QeR2k2Qe 0.083±0.011b22.2±0.7 0.958 0.0041±8.23×10-424.3±0.7 P 0.094±0.002 17.4±0.1 0.998 0.0059±6.32×10-419.5±0.4 notation and units, see section 2.3.2an ±standard error (n = 10)3 吸附選擇性
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2877890
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