類石墨型氮化碳基材料的合成及其光催化降解氮氧化物的性能研究
【學(xué)位授予單位】:重慶工商大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:O643.36;O644.1;X51
【圖文】:
圖 1-1 半導(dǎo)體光催化過(guò)程基本機(jī)制的示意圖chematic illustration of basic mechanism of a semiconductor ph來(lái)說(shuō),光催化反應(yīng)循環(huán)主要包括三個(gè)步驟(見圖 1-1)B 到 CB 的轉(zhuǎn)變,留下相等數(shù)量的空穴(h+)。第二,表面。第三,它們分別與被吸收的電子供體(D)和電子分電子空穴會(huì)發(fā)生復(fù)合,通過(guò)熱或發(fā)射光的形式耗空穴對(duì)的復(fù)合,常規(guī)使用的方法是在半導(dǎo)體表面負(fù)載劑。在半導(dǎo)體和助催化劑之間形成的異質(zhì)結(jié)可以提供子空穴對(duì)的分離降低復(fù)合率。此外,這些助催化劑擁電位和更高的催化活性。因此,它們通常是進(jìn)行光催化材料的發(fā)展
半導(dǎo)體光催化劑的能帶邊緣位置相對(duì)于水中各種氧化nd-edge positions of semiconductor photocatalysts relativevarious redox couples in water面化學(xué)性質(zhì)是影響半導(dǎo)體光催化性能的另一個(gè)關(guān)在界面電子和物質(zhì)之間的能量轉(zhuǎn)移、控制光催化率和過(guò)電位以及決定光催化劑對(duì)光腐蝕的敏感, 107]。通常情況下,表面能與催化活性成正比。體形態(tài)的研究引起了極大的興趣。聚合物或離子其軸向生長(zhǎng)速率。光催化劑表面對(duì)試劑的吸附和越容易、越快。因此,為了促進(jìn)光催化,常常需。催化所涉及的機(jī)制尚不完全清楚。為了實(shí)現(xiàn)這一分子動(dòng)力學(xué)模擬等理論研究。事實(shí)上,隨著實(shí)驗(yàn)
圖 2-1 光催化凈化 NOx 氣路和反應(yīng)器系統(tǒng)[113]Fig. 2-1 The schematic diagram of photocatalytic reactor for NOoxidation2.4 原位紅外光譜實(shí)驗(yàn)原位 DRIFTS 設(shè)備主要由 Tensor II FTIR 光譜儀(Bruker)和反應(yīng)室(Harrick)組成。如圖 2-2 所示,將樣品置于密封的反應(yīng)室中間。在氦氣流下,對(duì)樣品進(jìn)行熱處理以除去樣品表面上吸附的氣體和水,然后作為背景掃描。然后,將 50 mLmin-1NO,50 mL min-1O2的一種混合反應(yīng)氣體注入反應(yīng)室中,設(shè)定 20 分鐘的平衡時(shí)間以使樣品上 NO 和 O2的吸附飽和。最后,打開可見光,再進(jìn)行光催化反應(yīng) 60 分鐘。紅外光譜的掃描范圍為 600-4000 cm-1。在反應(yīng)期間,根據(jù)自身所需要的反應(yīng)時(shí)間表征選取間隔多久記錄一次數(shù)據(jù),本文中,選取不斷間隔時(shí)間段如15 秒記錄 20 條線。最終選取所需要的數(shù)據(jù)作圖分析。
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2765353
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