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多孔納米半導(dǎo)體材料的制備及其光催化和吸附性能

發(fā)布時(shí)間:2020-05-14 23:42
【摘要】:隨著人類工業(yè)和文明的快速發(fā)展,環(huán)境污染問(wèn)題日益嚴(yán)重,發(fā)展高效吸附劑和光催化劑以高效去除和降解廢水中的有機(jī)污染物已成為化學(xué)、材料、環(huán)境等多學(xué)科研究的熱點(diǎn)問(wèn)題。如何針對(duì)吸附和光催化過(guò)程中的物理、化學(xué)機(jī)理,有針對(duì)性地進(jìn)行表面和結(jié)構(gòu)調(diào)控,從而提升性能,獲得優(yōu)質(zhì)的材料作為應(yīng)用儲(chǔ)備,是在全世界范圍內(nèi)引起廣泛關(guān)注的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題。二氧化鈦(TiO_2)和鎢酸銅(CuWO_4)作為兩類價(jià)格低廉、無(wú)毒、地球儲(chǔ)量豐富的氧化物半導(dǎo)體,在大規(guī)模開(kāi)發(fā)利用上具有巨大的應(yīng)用潛力。但TiO_2由于其較寬的禁帶寬度,限制了其光響應(yīng)范圍和光催化效率。而鎢酸銅雖具有較窄的禁帶寬度,但由于其較高的載流子復(fù)合效率,限制了其性能和應(yīng)用范圍。因此,本論文擬通過(guò)合理的結(jié)構(gòu)調(diào)控和表面改性策略來(lái)對(duì)這兩種半導(dǎo)體進(jìn)行改性,以期提高它的光吸收利用率,促進(jìn)載流子分離效率,達(dá)到對(duì)污染物的高效去除;诖,開(kāi)展如下研究:(1)針對(duì)TiO_2材料光吸收和電荷分離等方面的劣勢(shì),我們選擇利用三維大孔結(jié)構(gòu)的慢光子效應(yīng)增加二氧化鈦對(duì)光的利用率。同時(shí),利用Bi~(3+)的摻雜和碳點(diǎn)(CDs)的修飾實(shí)現(xiàn)對(duì)TiO_2的能級(jí)調(diào)控,從而增加電荷傳導(dǎo)率,促進(jìn)光生載流子的快速分離。我們通過(guò)溶膠凝膠法輔助熱處理方法合成了CDs修飾的3DOM Bi:TiO_2三維納米復(fù)合材料。結(jié)果表明,該復(fù)合材料具有良好的光催化降解性能,實(shí)現(xiàn)了對(duì)RhB和苯酚的高效光催化降解。(2)吸附劑的表面積和活性位點(diǎn)數(shù)是影響吸附性能的關(guān)鍵因素。我們通過(guò)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便易行的自模板法合成三維結(jié)構(gòu)的CuWO_4,以期提高其比表面積和吸附位點(diǎn)來(lái)達(dá)到較好的污染物去除性能。我們通過(guò)控制水熱反應(yīng)的時(shí)間調(diào)控CuWO_4的形貌,得到了相應(yīng)的實(shí)心CuWO_4納米球(s-CuWO_4)和空心鎢酸銅納米球(h-CuWO_4)。結(jié)果表明,h-CuWO_4對(duì)亞甲基藍(lán)(MB)的吸附速度更快,吸附容量更大,實(shí)現(xiàn)了CuWO_4對(duì)染料良好的吸附性能。(3)針對(duì)CuWO_4光催化劑存在的效率較低的問(wèn)題,我們對(duì)CuWO_4進(jìn)行形貌調(diào)控和表面修飾來(lái)提高CuWO_4自身的載流子分離效率,從而提高光催化性能。通過(guò)合成能有效利用光吸收和的加強(qiáng)傳質(zhì)的空心結(jié)構(gòu),同時(shí)利用CdS與CuWO_4的界面異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)加強(qiáng)電子傳輸,再利用表面修飾CDs的優(yōu)良的電子傳導(dǎo)和儲(chǔ)存能力來(lái)增強(qiáng)光生載流子分離效率,提高載流子利用率。結(jié)果表明,該三元復(fù)合催化劑對(duì)剛果紅和苯酚都存在明顯提升的光催化降解性能。
【圖文】:

示意圖,吸附過(guò)程,示意圖,復(fù)合過(guò)程


圖 1.1 吸附過(guò)程示意圖Figure 1.1 Diagram of adsorption process圖 1.2 半導(dǎo)體中光生載流子激發(fā)、遷移和復(fù)合過(guò)程Figure 1.2 Excitation and migration and recombination of photogenerated carriers in semiconductor

復(fù)合過(guò)程,載流子,半導(dǎo)體


圖 1.2 半導(dǎo)體中光生載流子激發(fā)、遷移和復(fù)合過(guò)程and migration and recombination of photogenerated c必須比析氧電位更正。同樣,要實(shí)現(xiàn)光催化劑半導(dǎo)體表面應(yīng)具有能與吸附物 (O2、OH-)自由基 ( O2-和 OH),進(jìn)一步降解被吸附的有利于還原反應(yīng),而半導(dǎo)體的價(jià)帶位置越正率由光的利用率、電荷傳輸、載流子的分離atrη =η×η×η整體效率,aη 為光吸收效率,tη 為載流子因素
【學(xué)位授予單位】:廣州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:X703;O644.1;O643.36

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本文編號(hào):2664114

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