多孔納米半導(dǎo)體材料的制備及其光催化和吸附性能
【圖文】:
圖 1.1 吸附過(guò)程示意圖Figure 1.1 Diagram of adsorption process圖 1.2 半導(dǎo)體中光生載流子激發(fā)、遷移和復(fù)合過(guò)程Figure 1.2 Excitation and migration and recombination of photogenerated carriers in semiconductor
圖 1.2 半導(dǎo)體中光生載流子激發(fā)、遷移和復(fù)合過(guò)程and migration and recombination of photogenerated c必須比析氧電位更正。同樣,要實(shí)現(xiàn)光催化劑半導(dǎo)體表面應(yīng)具有能與吸附物 (O2、OH-)自由基 ( O2-和 OH),進(jìn)一步降解被吸附的有利于還原反應(yīng),而半導(dǎo)體的價(jià)帶位置越正率由光的利用率、電荷傳輸、載流子的分離atrη =η×η×η整體效率,aη 為光吸收效率,tη 為載流子因素
【學(xué)位授予單位】:廣州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:X703;O644.1;O643.36
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,本文編號(hào):2664114
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