硫化及氧化石墨相氮化碳材料對Pb(Ⅱ)及U(Ⅵ)的吸附行為機理研究
【圖文】:
圖2-1:邋g-C3N4的SEM電鏡(a)和TEM電鏡(b)圖;OCN的SEM電鏡(c)和TEM電鏡(d)逡逑圖。g-C3N4及OCN的XRD分析圖譜(e)及N2吸附-脫附曲線(f)。逡逑利用傅里葉紅外光譜測得的g-C3N4及OCN的化學結構如圖2-2所示。位于逡逑1200-1600和?810cm-1處的特征峰分別歸因于CN六元芳香雜環(huán)的振動和三嗪單逡逑位振動。相較于g-C3N4的紅外光譜結果,OCN的結果表明,原有的雜環(huán)結構特逡逑征峰消失,在2304邋cnf1處出現(xiàn)了新的峰,這是由于氧化作用下,雜環(huán)結構小時逡逑的同時,生成了邋C=N結構^1。這是由于氧化作用下,原有結構在破裂的同時發(fā)逡逑生了部分的重組。位于3000-3500cirfi處的寬峰則為-OH和-COOH官能團伸縮振逡逑動的結果[67]。逡逑13逡逑
邐Binding邋Knergy邋(eV)逡逑圖2-3:邋g-CiNU和OCN的N邋Is⑷和C邋Is邋(b)軌道高分辨XPS譜圖。逡逑g-C3N4的Cls圖譜(圖2-3b)可以被分為三個峰,其中,Cl(284.7eV)為sp2逡逑C-C鍵,,C2(287.8eV)為C-NH2的峰,C3(288.3eV)為含N的類芳香環(huán)結構中逡逑N-C-N的sp2雜交C的峰。經(jīng)過氧化處理后的OCN中,出現(xiàn)了邋C-O峰,同樣表逡逑明0取代N而與C形成了新的化學鍵。逡逑2.3.2吸附批實驗數(shù)據(jù)逡逑2.3.2.1接觸時間的影響逡逑圖2-4(a)的結果是pH=4.5條件下U(VI)在OCN上的吸附動力學曲線。顯逡逑然,U(VI)在OCN上的吸附效率不僅快速而且去除率達到幾乎100%,在30min逡逑內(nèi)吸附達到平衡。本文利用擬一級和擬二級動力學模型研究U(VI)在OCN上的逡逑富集機理。這兩個模型分別用用以下兩個公式表達:逡逑ln((?e邋-邋Qt)邋=邋ln(?e邋-邋kxt邐(2-3)逡逑—=———|-邋—邐(2-4)逡逑Qt邋k2Ql邋T邋Qe逡逑其中,為吸附時間為((min)T的吸附總量,A:i邋(min邋)和幻(g邋(邋mg'min)-1)逡逑分別為擬一級和擬二級動力學常數(shù)。圖2-4(b)和(c)結果顯示,OCN對U(VI)逡逑的吸附符合擬二級動力學模型。這是由于吸附行為主要受化學吸附的控制而不是逡逑物理吸附。在低pH條件下,較低的吸附量,是由于表面靜電斥力的存在,然而,逡逑材料對污染物仍然有+-定的吸附量
【學位授予單位】:華北電力大學(北京)
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:X505
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