天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

氧化石墨烯修飾碳糊電極循環(huán)伏安法測(cè)定銅離子

發(fā)布時(shí)間:2018-02-25 21:31

  本文關(guān)鍵詞: 氧化石墨烯 化學(xué)修飾碳糊電極 循環(huán)伏安法 銅離子 出處:《人工晶體學(xué)報(bào)》2016年11期  論文類(lèi)型:期刊論文


【摘要】:采用改進(jìn)的Hummers法合成氧化石墨烯,利用擠壓填充法將氧化石墨烯修飾到碳糊電極內(nèi),成功地制備了氧化石墨烯修飾碳糊電極并探討了在此電極上銅離子的循環(huán)伏安行為。實(shí)驗(yàn)表明:石墨粉與氧化石墨烯材料配比為8∶1,底液p H值為3.0,掃描速率為120 m V/s測(cè)定銅離子時(shí)為最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件,氧化峰電流與銅離子濃度在4.0×10-8mol/L~1.0×10-3mol/L范圍內(nèi)呈良好的線(xiàn)性關(guān)系,檢出限為4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修飾碳糊電極對(duì)銅離子的測(cè)定表現(xiàn)出良好的重現(xiàn)性與穩(wěn)定性。
[Abstract]:Graphene oxide was synthesized by modified Hummers method. Graphene oxide was modified into carbon paste electrode by extrusion filling method. The graphene oxide modified carbon paste electrode was successfully prepared and the cyclic voltammetry of copper ions on the electrode was investigated. The experimental results show that the ratio of graphite powder to graphene oxide is 8: 1, the pH value of substrate solution is 3.0, and the scanning rate is 120. The optimum experimental conditions for the determination of copper ions by MV / s are as follows:. The oxidation peak current has a good linear relationship with copper ion concentration in the range of 4.0 脳 10 ~ (-8) mol / L ~ (-1) 脳 10 ~ (-3) mol / L. the detection limit is 4.559 脳 10 ~ (-8) mol / L. Graphene oxide modified carbon paste electrode exhibits good reproducibility and stability for the determination of copper ions.
【作者單位】: 哈爾濱師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院;
【基金】:黑龍江省教育廳科技項(xiàng)目(1254CGZH35) 國(guó)家自然科學(xué)基金(51572064)
【分類(lèi)號(hào)】:X830;O657.1

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 馬明明;同幟;宋俊峰;高飛;;修飾碳糊電極研究進(jìn)展[J];理化檢驗(yàn)(化學(xué)分冊(cè));2006年05期

2 鄔建敏;對(duì)硝基苯甲酰甲苯胺藍(lán)修飾碳糊電極檢測(cè)還原型煙酰胺腺嘌呤二核苷酸[J];分析化學(xué);2001年01期

3 楊春海,黃文勝,張升輝;鈉型蒙脫石修飾碳糊電極測(cè)定微量的銅離子[J];分析科學(xué)學(xué)報(bào);2003年03期

4 李桂敏,吳志皓,趙閣,葉文玉,劉快之;2-羥基-3-(三乙胺基)丙基正癸基硫醚修飾碳糊電極測(cè)定痕量金[J];分析測(cè)試學(xué)報(bào);2004年04期

5 魏培海,李關(guān)賓;多巴胺在3-巰丙基三甲氧基硅烷銅/多孔晶形分子篩修飾碳糊電極上的電化學(xué)氧化[J];分析化學(xué);2005年05期

6 劉傳銀,黃明權(quán),陸光漢;酞菁鐵修飾碳糊電極測(cè)定抗壞血酸的研究[J];武漢化工學(xué)院學(xué)報(bào);2005年02期

7 劉傳銀,胡軍福,李新民,陸光漢;酞菁鐵鄰苯二甲酸二正辛酯修飾碳糊電極測(cè)定抗壞血酸的研究與應(yīng)用[J];西南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2005年02期

8 朱朝暉;;蘆丁修飾碳糊電極測(cè)定微量的銅離子[J];安徽化工;2006年01期

9 冷鵬;鄭巖;黃加棟;;納米Ag_2O修飾碳糊電極的電化學(xué)性能研究[J];傳感器與微系統(tǒng);2006年08期

10 李東輝;孫挺;;鉍離子修飾碳糊電極的研制與應(yīng)用[J];理化檢驗(yàn)(化學(xué)分冊(cè));2006年05期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 任紅霞;氮雜環(huán)高分子化合物的合成及催化性能研究[D];西北師范大學(xué);2004年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 石愛(ài)華;有機(jī)染料修飾碳糊電極的電化學(xué)聚合及其電化學(xué)行為的研究[D];陜西科技大學(xué);2015年

2 許文娟;化學(xué)修飾碳糊電極及其在金屬離子測(cè)定中的應(yīng)用與研究[D];中北大學(xué);2011年

3 陳亞勝;修飾碳糊電極在生物微量元素分析中的應(yīng)用[D];暨南大學(xué);2005年

4 伍華;化學(xué)修飾碳糊電極的制備及其在銅離子測(cè)定中的應(yīng)用研究[D];哈爾濱師范大學(xué);2013年

5 寶阿敏;8-羥基喹啉鋁配合物修飾碳糊電極在電化學(xué)中的應(yīng)用[D];沈陽(yáng)師范大學(xué);2015年

6 袁勇;甲殼胺修飾碳糊電極在電分析化學(xué)中的應(yīng)用[D];延邊大學(xué);2004年

7 周靜;碳納米材料修飾碳糊電極的構(gòu)筑及應(yīng)用[D];鄭州大學(xué);2013年

8 賀亞梅;維生素類(lèi)藥物在修飾碳糊電極上的電化學(xué)分析[D];陜西科技大學(xué);2013年

9 嚴(yán)慧潔;還原型谷胱甘肽在修飾碳糊電極的電催化氧化研究[D];福建師范大學(xué);2015年

10 孫紅先;用電荷轉(zhuǎn)移配合物化學(xué)修飾碳糊電極 制作溶解氧傳感器的研究[D];蘇州大學(xué);2001年

,

本文編號(hào):1535223

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huanjinggongchenglunwen/1535223.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶(hù)2cfce***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com