氧化石墨烯修飾碳糊電極循環(huán)伏安法測定銅離子
本文關鍵詞: 氧化石墨烯 化學修飾碳糊電極 循環(huán)伏安法 銅離子 出處:《人工晶體學報》2016年11期 論文類型:期刊論文
【摘要】:采用改進的Hummers法合成氧化石墨烯,利用擠壓填充法將氧化石墨烯修飾到碳糊電極內,成功地制備了氧化石墨烯修飾碳糊電極并探討了在此電極上銅離子的循環(huán)伏安行為。實驗表明:石墨粉與氧化石墨烯材料配比為8∶1,底液p H值為3.0,掃描速率為120 m V/s測定銅離子時為最優(yōu)實驗條件,氧化峰電流與銅離子濃度在4.0×10-8mol/L~1.0×10-3mol/L范圍內呈良好的線性關系,檢出限為4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修飾碳糊電極對銅離子的測定表現(xiàn)出良好的重現(xiàn)性與穩(wěn)定性。
[Abstract]:Graphene oxide was synthesized by modified Hummers method. Graphene oxide was modified into carbon paste electrode by extrusion filling method. The graphene oxide modified carbon paste electrode was successfully prepared and the cyclic voltammetry of copper ions on the electrode was investigated. The experimental results show that the ratio of graphite powder to graphene oxide is 8: 1, the pH value of substrate solution is 3.0, and the scanning rate is 120. The optimum experimental conditions for the determination of copper ions by MV / s are as follows:. The oxidation peak current has a good linear relationship with copper ion concentration in the range of 4.0 脳 10 ~ (-8) mol / L ~ (-1) 脳 10 ~ (-3) mol / L. the detection limit is 4.559 脳 10 ~ (-8) mol / L. Graphene oxide modified carbon paste electrode exhibits good reproducibility and stability for the determination of copper ions.
【作者單位】: 哈爾濱師范大學化學化工學院;
【基金】:黑龍江省教育廳科技項目(1254CGZH35) 國家自然科學基金(51572064)
【分類號】:X830;O657.1
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,本文編號:1535223
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