工藝氣體比例對(duì)微波MOCVD沉積氧化鋁膜性能影響
本文關(guān)鍵詞:工藝氣體比例對(duì)微波MOCVD沉積氧化鋁膜性能影響
更多相關(guān)文章: 線性微波源 氧化鋁薄膜 工藝氣體比例 折射率 沉積速度
【摘要】:AlO薄膜作為高效太陽能電池中P層鈍化薄膜引起了光伏龍頭企業(yè)的關(guān)注。本文利用自主研發(fā)的線性微波等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LMW-MOCVD)在單晶硅基體上用不同N_2O和TMA特氣比例制備氧化鋁膜層樣品,并通過SEM、SE800橢偏儀對(duì)薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉積速度、折射率測(cè)試分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著N_2O比例增大,薄膜中O/Al原子比例有上升趨勢(shì);膜層沉積速度顯著降低;膜層折射率開始趨于穩(wěn)定而后迅速降低。所以,工藝氣體比例對(duì)LMW-MOCVD沉積氧化鋁膜的性能有明顯影響。
【作者單位】: 東北大學(xué)機(jī)械及自動(dòng)化學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 線性微波源 氧化鋁薄膜 工藝氣體比例 折射率 沉積速度
【基金】:教育部博士點(diǎn)基金資助項(xiàng)目(20120042110031)
【分類號(hào)】:TB383.2;TQ133.1
【正文快照】: 0引言AlO薄膜具有可以鈍化硅片表面,彌補(bǔ)硅片表面懸掛鍵,起到增加少子壽命的作用,最重要的是氧化鋁膜層內(nèi)部有負(fù)陰離子團(tuán),該陰離子位于AlO和硅交界處,可以在P型硅表面形成陰性場(chǎng)效應(yīng),增強(qiáng)PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng),增大開路電壓和短路電流,最終實(shí)現(xiàn)提高晶硅電池效率。因此,近年來AlO薄膜
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):795964
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