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工藝氣體比例對(duì)微波MOCVD沉積氧化鋁膜性能影響

發(fā)布時(shí)間:2017-09-05 05:03

  本文關(guān)鍵詞:工藝氣體比例對(duì)微波MOCVD沉積氧化鋁膜性能影響


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【摘要】:AlO薄膜作為高效太陽能電池中P層鈍化薄膜引起了光伏龍頭企業(yè)的關(guān)注。本文利用自主研發(fā)的線性微波等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LMW-MOCVD)在單晶硅基體上用不同N_2O和TMA特氣比例制備氧化鋁膜層樣品,并通過SEM、SE800橢偏儀對(duì)薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉積速度、折射率測(cè)試分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著N_2O比例增大,薄膜中O/Al原子比例有上升趨勢(shì);膜層沉積速度顯著降低;膜層折射率開始趨于穩(wěn)定而后迅速降低。所以,工藝氣體比例對(duì)LMW-MOCVD沉積氧化鋁膜的性能有明顯影響。
【作者單位】: 東北大學(xué)機(jī)械及自動(dòng)化學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】線性微波源 氧化鋁薄膜 工藝氣體比例 折射率 沉積速度
【基金】:教育部博士點(diǎn)基金資助項(xiàng)目(20120042110031)
【分類號(hào)】:TB383.2;TQ133.1
【正文快照】: 0引言AlO薄膜具有可以鈍化硅片表面,彌補(bǔ)硅片表面懸掛鍵,起到增加少子壽命的作用,最重要的是氧化鋁膜層內(nèi)部有負(fù)陰離子團(tuán),該陰離子位于AlO和硅交界處,可以在P型硅表面形成陰性場(chǎng)效應(yīng),增強(qiáng)PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng),增大開路電壓和短路電流,最終實(shí)現(xiàn)提高晶硅電池效率。因此,近年來AlO薄膜

【相似文獻(xiàn)】

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3 沈橋;甘志銀;;MOCVD石墨盤熱可靠性分析[J];科技傳播;2012年03期

4 ;Effects of ZnO Buffer Layer Thickness on Properties of Mg_xZn_(1-x)O Thin Films Deposited by MOCVD[J];Chemical Research in Chinese Universities;2005年05期

5 孫一軍,張良瑩,姚熹;BaTiO_3薄膜的MOCVD方法制備及進(jìn)展[J];硅酸鹽通報(bào);1998年02期

6 張穎;林j旭;閻子峰;胡喜軍;;新型MOCVD法以SBA-15為模板制備墨水瓶型孔結(jié)構(gòu)的機(jī)理研究[J];科學(xué)通報(bào);2009年14期

7 孫一軍,張志峰,張良瑩,姚熹;用MOCVD方法制備TIO_2薄膜:工藝及進(jìn)展[J];硅酸鹽通報(bào);1997年02期

8 ;Influence of Annealing on Properties of ZnO Films Grown via Plasma-enhanced MOCVD[J];Chemical Research in Chinese Universities;2003年04期

9 金憶農(nóng);;中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春物理研究所兩臺(tái)MOCVD裝置通過院級(jí)鑒定[J];低溫與特氣;1988年03期

10 曾建明,王弘,尚淑霞;常壓MOCVD制備MgO薄膜的研究[J];功能材料;1996年04期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 王國(guó)斌;水平切向噴射式MOCVD反應(yīng)器輸運(yùn)過程的數(shù)值模擬研究[D];江蘇大學(xué);2009年



本文編號(hào):795964

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