本文關鍵詞：原位合成NiO催化硅粉氮化制備氮化硅

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【摘要】：采用化學沉淀方法在硅粉表面沉淀了Ni(OH)_2,利用其原位合成NiO來催化硅粉氮化制備Si_3N_4粉,研究了原位合成NiO含量(質量分數為0~2.0%)和氮化溫度對硅粉氮化的影響。結果表明:原位合成的NiO可以促進硅粉的氮化,隨著NiO含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后減的變化趨勢;隨著氮化溫度的升高,硅粉氮化率逐漸提高,當溫度升高到1 400℃、NiO質量分數為1.0%時硅粉全部氮化;制備的Si_3N_4呈晶須狀,直徑為65~497nm,其生長符合固-液-氣-固(SLGS)生長機理。
【作者單位】： 武漢科技大學省部共建耐火材料與冶金國家重點實驗室;
【關鍵詞】： 硅粉 SiN 催化氮化 NiO
【基金】：國家自然科學基金面上資助項目(51272188,51472184,51472185) “973”前期研究專項基金資助項目(2014CB660802) 湖北省自然科學基金重點資助項目(2013CFA086) 湖北省科技支撐計劃對外科技合作項目(2013BHE002)
【分類號】：TQ127.2
【正文快照】： 0引言氮化硅結合碳化硅(Si3N4/SiC)復合材料具有優(yōu)異的力學性能和良好的熱震穩(wěn)定性及化學穩(wěn)定性,被認為是一種應用前景廣闊的高溫結構材料[1-6]。該復合材料通常以硅粉和SiC粉為原料,通過反應氮化法制備,其傳統(tǒng)制備工藝存在周期長、能耗高和硅粉氮化不完全等問題,因此研究人員

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本文編號：579969