【摘要】：石墨烯作為一種擁有優(yōu)異性能的二維晶體材料,其制備方法與潛在應(yīng)用在最近幾年內(nèi)得到了廣泛研究.與現(xiàn)有半導(dǎo)體硅工藝相匹配的化學(xué)氣相沉積方法因其能夠以低成本大規(guī)模制備高質(zhì)量石墨烯,逐漸成為工業(yè)化大規(guī)模制備石墨烯的首選技術(shù).然而,金屬上通過(guò)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的石墨烯需要轉(zhuǎn)移到絕緣襯底上才可以用于器件制備、電學(xué)性能表征等后期工作,而目前的轉(zhuǎn)移技術(shù)無(wú)法避免對(duì)石墨烯的質(zhì)量造成影響.如果在絕緣襯底表面直接生長(zhǎng)石墨烯將有效避免石墨烯的轉(zhuǎn)移工藝,從而有望在目標(biāo)絕緣襯底上直接獲得大面積高質(zhì)量石墨烯.本文系統(tǒng)性介紹了近幾年來(lái)絕緣襯底上生長(zhǎng)石墨烯的相關(guān)研究進(jìn)展,總結(jié)并展望了絕緣襯底上石墨烯生長(zhǎng)、應(yīng)用的發(fā)展前景與需要攻克的難題.
[Abstract]:Graphene, as a two-dimensional crystal material with excellent properties, has been widely studied in recent years. The chemical vapor deposition (CVD) method, which is compatible with the existing semiconductor silicon process, has become the preferred technology for the large-scale preparation of graphene on an industrial scale because of its low cost and large scale preparation of high quality graphene. However, graphene grown on metal by chemical vapor deposition needs to be transferred to the insulating substrate before it can be used in device preparation, electrical properties characterization, etc. However, the current transfer technology cannot avoid the influence on the quality of graphene. If graphene is grown directly on the surface of the insulating substrate, the transfer process of graphene will be avoided effectively, and it is expected that a large area of high quality graphene can be directly obtained on the target insulating substrate. In this paper, the progress of graphene growth on insulating substrates in recent years is systematically reviewed, and the prospect of graphene growth on insulating substrates, the prospect of application and the problems that need to be solved are summarized and forecasted.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室超導(dǎo)電子學(xué)卓越創(chuàng)新中心;上�？萍即髮W(xué)物質(zhì)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家科技重大專項(xiàng)(2011ZX02707) 上海市自然科學(xué)基金(16ZR1442700) 中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(XDB04040300)資助
【分類號(hào)】：TQ127.11

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本文編號(hào)：2252701