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層狀二硫化鉬材料的制備和應(yīng)用進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2018-08-02 16:08
【摘要】:二硫化鉬(MoS2)是具有天然可調(diào)控帶隙的二維層狀材料,其獨(dú)特的性質(zhì)引起了科研人員的廣泛關(guān)注,在微電子及光電領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。介紹了MoS2的基本性質(zhì)和常用制備方法,對(duì)層狀MoS2材料在電子和光電子器件方面的應(yīng)用進(jìn)行了總結(jié)和展望。
[Abstract]:Molybdenum disulfide (MoS2) is a two-dimensional layered material with natural adjustable band gap. Its unique properties have attracted wide attention of researchers and have important application prospects in the fields of microelectronics and optoelectronics. The basic properties and common preparation methods of MoS2 are introduced. The applications of layered MoS2 materials in electronic and optoelectronic devices are summarized and prospected.
【作者單位】: 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】:河北省自然科學(xué)基金(F2014202184) 天津市自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(15JCZDJC37800)
【分類號(hào)】:TQ136.12

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本文編號(hào):2159971

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