本文選題：梯度鋁摻雜的氧化鋅(AZO)薄膜　切入點(diǎn)：磁控濺射　出處：《壓電與聲光》2017年04期

【摘要】：采用磁控濺射法在單晶硅和石英玻璃襯底上制備梯度鋁摻雜的氧化鋅(AZO)薄膜。利用X線衍射(XRD)、霍爾效應(yīng)測(cè)試和紫外可見光分度計(jì)等研究了不同氬氧比(體積比)對(duì)梯度AZO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果表明,氬氧比可以改善薄膜的結(jié)晶質(zhì)量,且對(duì)電學(xué)性能的影響較大。隨著氬氧比的增加,晶粒尺寸減小,結(jié)晶度稍有下降,薄膜的電阻率卻顯著降低,當(dāng)氬氧比為1∶0時(shí),薄膜具有最低的電阻率為6.85×10~(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可見光區(qū)的透過(guò)率均達(dá)到80%。
[Abstract]:Gradient aluminum doped zinc oxide (AZO) thin films were prepared on monocrystalline silicon and quartz glass substrates by magnetron sputtering.The effects of different ratio of argon and oxygen (volume ratio) on the structure and optoelectronic properties of gradient AZO films were investigated by X-ray diffraction, Hall effect measurement and UV-Vis spectrophotometer.The results show that the ratio of argon to oxygen can improve the crystallization quality of the films and has a great effect on the electrical properties.With the increase of ar / O ratio, the grain size decreases, the crystallinity decreases slightly, but the resistivity of the films decreases significantly. When the ar / O ratio is 1:0, the lowest resistivity of the films is 6.85 脳 10 ~ (-4) 惟 cm ~ (-1).In addition, the transmittance of all gradient AZO films in the visible region is 80%.
【作者單位】： 遼寧工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心;
【基金】：國(guó)家教育部重點(diǎn)基金資助項(xiàng)目(2012031) 遼寧省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015020215) 遼寧省高校優(yōu)秀人才計(jì)劃基金資助項(xiàng)目(LJQ2015050) 遼寧省教育廳一般研究基金資助項(xiàng)目(L2015236) 遼寧省高等學(xué)校創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)基金資助項(xiàng)目(LT2013014)
【分類號(hào)】：TB383.2;TQ132.41

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1721780