發(fā)布時(shí)間：2018-04-01 02:34

  本文選題：聚碳硅烷　切入點(diǎn)：熱解　出處：《無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)》2017年05期

【摘要】：以聚碳硅烷(PCS)為原料,通過(guò)不同溫度高溫?zé)峤庵苽涮蓟?Si C)前驅(qū)體,將得到的碳化硅前驅(qū)體在1 000℃條件下采用氯氣刻蝕,成功制備了碳化硅衍生碳(Si C-CDCs)。采用X-射線衍射光譜(XRD)、拉曼光譜(Raman)、透射電子顯微鏡(TEM)和N2吸附-脫附法等表征方法,研究了熱解溫度對(duì)Si C前驅(qū)體及Si C-CDCs的物相、形貌、孔結(jié)構(gòu)和分布的影響;并將制備的材料作為超級(jí)電容器的電極材料,測(cè)試了其電化學(xué)性能。結(jié)果表明:采用氯氣刻蝕聚碳硅烷熱解生成的Si C,可以得到具有較高比表面積和亞納米孔(1 nm)的Si C-CDCs;Si C-CDCs用作超級(jí)電容器的電極材料,具有較高的比電容且在不同的電流密度下均表現(xiàn)出良好的電容性能。
[Abstract]:The silicon carbide (sic) precursor was prepared by pyrolysis of polycarbosilane (PCS) at different temperature and high temperature. The precursor was etched by chlorine gas at 1 000 鈩，

本文編號(hào)：1693616