本文選題：化學(xué)氣相沉積法　切入點(diǎn)：MoS薄膜　出處：《鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版)》2017年04期

【摘要】：通過(guò)化學(xué)氣相沉積法,以MoO_3和S粉為反應(yīng)物制備大面積的二硫化鉬(MoS_2)薄膜,通過(guò)拉曼光譜、原子力顯微鏡、透射電子顯微鏡對(duì)產(chǎn)物的層數(shù)和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,結(jié)果證明通過(guò)該方法制備的MoS_2薄膜具有單層及少層結(jié)構(gòu).氣敏測(cè)試結(jié)果表明該超薄MoS_2薄膜在室溫下對(duì)NO具有良好的靈敏度和選擇性,對(duì)體積濃度為10、50(×10~(-6))的NO氣體的靈敏度為9.3%和19.3%,響應(yīng)時(shí)間(恢復(fù)時(shí)間)快,分別為281 s(298 s)和120 s(190 s),其優(yōu)異的氣敏性能與超薄MoS_2薄膜的高比表面積息息相關(guān).
[Abstract]:A large area of molybdenum disulfide (MoS _ 2) thin films were prepared by chemical vapor deposition with MoO_3 and S powder as reactants. The layers and structures of the products were characterized by Raman spectroscopy, atomic force microscope and transmission electron microscope. The results show that the MoS_2 thin film prepared by this method has monolayer and less layer structure. The gas sensitivity test results show that the ultrathin MoS_2 film has good sensitivity and selectivity to no at room temperature. The sensitivity of no gas is 9.3% and 19.3s, the response time (recovery time) is 281sm ~ (298s) and 120 sm ~ (190) s ~ (-1), respectively. Its excellent gas sensitivity is closely related to the high specific surface area of ultra-thin MoS_2 films.
【作者單位】： 鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(11504331)
【分類號(hào)】：TB383.2;TQ136.12

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4 牛欣s，

本文編號(hào)：1654646