本文選題：原子層沉積　切入點：AlO薄膜　出處：《功能材料》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用原子層沉積技術(ALD)進行Al_2O_3薄膜工藝研究,獲得85℃低溫Al_2O_3薄膜ALD的最佳工藝條件。使用橢偏儀測試厚度,使用掃描探針顯微鏡對薄膜表面形貌進行分析,使用紫外-分光光度計對薄膜的透過率進行分析,所用水汽透過率測試儀器是自行開發(fā)的基于鈣電學法的測試儀器。分析了在85℃低溫下的生長工藝條件對薄膜性能的影響,從前驅體脈沖時間,吹掃時間等工藝條件,對Al_2O_3薄膜的工藝條件進行優(yōu)化。以三甲基鋁(TMA)和H_2O為前驅體制備的Al_2O_3薄膜:沉積速率為0.1nm/cycle,表面粗糙度為0.46nm,對550nm波長光透過率為99.2%,薄膜厚度不均勻性為1.89%,200 nm的Al_2O_3薄膜的水汽透過率為1.55×10~(-4) g/m~2/day。
[Abstract]:The process of Al_2O_3 thin film was studied by atomic layer deposition (ALD), and the optimum process conditions of Al_2O_3 film ALD at 85 鈩，

本文編號：1629790