本文選題：多晶硅還原　切入點(diǎn)：三氯氫硅　出處：《化學(xué)反應(yīng)工程與工藝》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為控制還原后三氯氫硅中雜質(zhì)含量,采用Aspen Plus模擬軟件對(duì)還原后三氯氫硅提純塔進(jìn)行模擬計(jì)算,考察了提純塔的進(jìn)料量、回流量和采出量對(duì)還原后三氯氫硅中硼、磷雜質(zhì)的影響,并結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)探索還原后三氯氫硅中碳和金屬雜質(zhì)的控制措施。結(jié)果表明:降低提純塔進(jìn)料量,提高提純塔回流量和采出量能有效降低還原后三氯氫硅中硼、磷雜質(zhì)含量。對(duì)還原爐鐘罩、基盤(pán)和備品備件進(jìn)行合理的維護(hù)和選用,能有效控制氫還原后三氯氫硅中碳和金屬雜質(zhì)含量。
[Abstract]:As the impurity content control after reduction of trichlorosilane, using Aspen Plus simulation software for the reduction of trichlorosilane purification tower simulation, effects of feed purification tower, reflux and the recovery of reduction in trichlorosilane boron, phosphorus impurities influence, combined with the control measures of carbon and metal impurities in trichlorosilane reduction exploration of practical production. The results showed that the lower the purifying column feed amount, improve the recovery and purification tower back flow can effectively reduce the reduction of trichlorosilane boron, phosphorus impurity content. The reduction furnace bell, base plate and spare parts for reasonable maintenance and use, can effectively control the hydrogen reduction in carbon and trichlorosilane the content of metal impurities.

【作者單位】： 昆明冶研新材料股份有限公司;云南省光電子硅材料制備技術(shù)企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TQ127.2

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本文編號(hào)：1587028