本文關(guān)鍵詞： 二次炭粒 純碳反應(yīng)燒結(jié) SiC 顯微結(jié)構(gòu)　出處：《中國陶瓷》2016年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：用二次炭粒制備了純碳反應(yīng)燒結(jié)碳化硅(PCRBSC),研究了二次炭粒的密度、粒徑及顆粒粘結(jié)狀態(tài)對燒結(jié)體顯微結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明:當(dāng)二次炭粒的密度為0.844 g/cm~3、粒徑小于37μm時,燒結(jié)體中幾乎沒有fC的存在,但二次炭粒密度過低會導(dǎo)致fSi含量增加;加入粘結(jié)劑可以改善二次炭粒高溫時的粘結(jié)強(qiáng)度,防止燒結(jié)開裂而出現(xiàn)硅線。
[Abstract]:Pure carbon reaction sintering silicon carbide (PCRBSCS) was prepared from secondary carbon particles. The effects of the density, particle size and particle bonding state of secondary carbon particles on the microstructure of the sintered particles were studied. The results showed that when the density of secondary carbon particles was 0.844 g / cm ~ (-3), the particle size was less than 37 渭 m. There is almost no fC in the sintered body, but the low density of secondary carbon particle will lead to the increase of fSi content, and the addition of binder can improve the bond strength of secondary carbon particle at high temperature and prevent the silicon wire from cracking.
【作者單位】： 清遠(yuǎn)職業(yè)技術(shù)學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院;武漢理工大學(xué)硅酸鹽材料與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號】：TQ174.1

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1 曾桃芳,傅維標(biāo);關(guān)于碳/炭粒表面氧化反應(yīng)生成物CO/CO_2比值的研究[J];工程熱物理學(xué)報;1993年02期

2 ;[J];;年期

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本文編號：1520247