本文關鍵詞：硒化鎢拉曼光譜層數效應　出處：《光散射學報》2016年01期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 層數 二硒化鎢 拉曼頻移 有效配位數

【摘要】：應用鍵弛豫理論(BOLS)對層狀硒化鎢材料的拉曼光譜進行定量分析,得出了硒化鎢層數與鍵參數的數值函數關系。澄清了硒化鎢拉曼頻移層數效應的內在起因:硒化鎢層數增加時,拉曼振動模A1g發(fā)生藍移是由于最近鄰原子的影響;成鍵原子控制著硒化鎢拉曼E12g模和B12g模的紅移。
[Abstract]:The application of bond relaxation theory (BOLS) of layered se Raman spectroscopy of tungsten materials for quantitative analysis, numerical function relations between selenium tungsten layers and bond parameters. To clarify the internal cause of selenium tungsten Raman shift effect layers: Selenium tungsten layers increases, the Raman vibration modes of A1g blue shift is due to the influence of nearest neighbor atoms; the atoms control selenium tungsten Raman E12g mode and B12g mode shift.

【作者單位】： 吉首大學物理與機電工程學院;湘潭大學材料科學與工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(11447237) 湖南省自然科學基金(2015JJ6094)資助項目
【分類號】：O657.37;TQ136.13
【正文快照】： 1引言二硒化鎢,由二維Se-W-Se的層狀結構構成,層內通過共價鍵結合,而層間通過范德瓦爾斯結合。大量實驗研究表明[1-3],硒化鎢薄膜的電子和聲子性質具有顯著的層數效應:二維納米硒化鎢薄膜厚度減小到單層時,能帶結構會從間接帶隙過渡到直接帶隙;聲子譜將隨著層數的減少而發(fā)生紅

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本文編號：1359428