全固態(tài)硫酸根離子選擇電極的研制及其在海水中的運(yùn)用
【學(xué)位單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:P742;P715
【部分圖文】:
膏(CaS04邋*51^0)埋藏在海底。同時(shí),海水中的S042?在跨海大橋、碼頭等海洋工程建逡逑筑的混凝土結(jié)構(gòu)內(nèi)部產(chǎn)生結(jié)晶,晶體的生長將脹裂保護(hù)鋼筋的混凝土[4]。暴露后的鋼筋遭逡逑受海水銹蝕,危及工程設(shè)施安全。海洋中的硫循環(huán)過程如圖1.1所示。逡逑so,?:逡逑Deposition邐Vwi邋Hulda邐Continental逡逑邐邋Accredcnanr邋Crust逡逑scdiitttni邐aS邐Converting邐f逡逑ICH.O邋+邋SO^H.S^IHCO,邋^邐Mantle邐J逡逑MmU*邋\邋\逡逑圖1.1海洋中的硫循環(huán)[5]逡逑Fig.邋1.1邋Sulfur邋cycle邋in邋the邋ocean逡逑海水中的S042_濃度變化能夠用于追溯地球表面氧化的歷史[6]。不同歷史時(shí)期陸源輸入逡逑的硫酸鹽量存在差異,導(dǎo)致不同時(shí)期海水中的硫酸鹽成分含量存在明顯波動(dòng)。當(dāng)大氣中的逡逑氧氣含量增加時(shí),會(huì)促進(jìn)陸源硫化物的氧化,造成由河流徑流等方式輸入海洋的溶解硫酸逡逑鹽量隨之增加。顯生宙鹽巖中的流體包裹體的成分分析表明,sof濃度在5-25邋mM范圍逡逑內(nèi)波動(dòng)m。同時(shí),硫酸鹽也會(huì)通過對(duì)諸如璇酸鹽的礦化、生物固氮、硫酸鹽氣凝膠的形成、逡逑1逡逑
濃度(活度)變化而變化,借助于膜界面物質(zhì)遷移所引起的自由能的改變而實(shí)現(xiàn)電位變化。逡逑將離子選擇電極與參比電極相連,與電解質(zhì)溶液構(gòu)成原電池體系[72],通過測(cè)量電極達(dá)到化逡逑學(xué)平衡狀態(tài)時(shí)的響應(yīng)電位得出特定離子活度(濃度)的大小,如圖1.3所示。電極敏感膜逡逑的響應(yīng)電位與待測(cè)離子濃度(活度)對(duì)數(shù)的關(guān)系為:逡逑E邋=邋E°邋h邐lna;邐(6)逡逑ZtF邋1邐、’逡逑7逡逑
塑劑、PVC沉積在MOS管去掉柵極的部位形成敏感膜,制備出鉀離子-ISFET[86]。懫用化逡逑學(xué)沉積、摻雜等方法,在Si02絕緣層上制備Y203、A1203、Ti02等金屬氧化物敏感膜,可逡逑到高靈敏度、高精度的pH-ISFET[8^89]。如圖1.7所示,ISFET需要外加滿足電源條件:逡逑Uds>0,邋Ugs>U^,才能正常工作。ISFET的制備工藝十分復(fù)雜,敏感膜于MOS管柵極位逡逑置制備完成以后,需用絕緣肢密封,僅僅只露出敏感膜部位;而參比電極通常也與ISFET逡逑連接在一起,與之形成一個(gè)獨(dú)立的完整檢測(cè)單元。ISFET制備在微小硅片元件上,沒有內(nèi)逡逑充填溶液便于集成化、小型化;輸入阻抗大、輸出阻抗小、響應(yīng)迅速、可干燥儲(chǔ)存,可滿逡逑足于海洋高壓水體環(huán)境的使用需要[9<)]。pH離子選擇場(chǎng)效應(yīng)管(pH-ISFET)的結(jié)構(gòu)原理如逡逑下圖1.7所示。逡逑Reference邋J逡逑/邋electrode邋|逡逑n逡逑\邐—^邋I邐Electrolyte邋/逡逑叫::UD(>逡逑圖1.7邋pH-ISFET的結(jié)構(gòu)原理t89]逡逑Fig.邋1.7邋Structure邋principle邋of邋pH-ISFET逡逑海水的成分復(fù)雜,溫壓鹽和水動(dòng)力等要素時(shí)刻變化,檢測(cè)要求更高。離子選擇電極檢逡逑測(cè)速度快,不受光照條件和海水濁度干擾,操作簡單,可用船舶拖纜、深海潛水器攜帶使逡逑用[91]。目前海水檢測(cè)中常用的離子選擇電極種類較多
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2834549
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