MOCVD加熱系統(tǒng)研究
發(fā)布時間:2017-05-25 05:07
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【摘要】: 金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)是業(yè)界生產(chǎn)半導體光電器件和微波器件的關鍵設備。加熱系統(tǒng)是MOCVD系統(tǒng)的重要組成部分。每個新穎的反應室設計,都需要與之相匹配的加熱裝置和控制技術。本文分析了現(xiàn)有MOCVD設備的加熱系統(tǒng),對紅外輻射加熱和高頻感應加熱進行了對比分析,探討了各自的加熱特點。 本文從基礎理論到實際應用,對紅外輻射加熱器和高頻感應加熱器的應用、選材等進行了討論。采用數(shù)值模擬的方法對紅外輻射加熱器和高頻感應加熱器進行了結構優(yōu)化設計,并研究了其安裝精度要求。結果表明: 對紅外輻射加熱器 1)對絲狀紅外輻射加熱器而言,電阻絲布置的均勻性決定了石墨基座表面溫度分布的均勻性;有必要使石墨基座旋轉起來,這樣可使絲狀加熱均勻性提高20%; 2)對片狀紅外輻射加熱器而言,電阻片的形狀與石墨基座表面溫度均勻性密切相關;片狀加熱器安裝要求低于絲狀加熱器; 3)紅外輻射加熱器與石墨基座的高平行度對石墨基座表面的溫度均勻性影響很大。 對高頻感應加熱器 1)通電導線的空間布置,特別是外圈導線的布置決定了加熱均勻性; 2)加熱均勻性很好,石墨基座表面溫度偏差只有0.3℃; 3)高頻感應加熱器的安裝要求比紅外輻射加熱器高,加熱器與基座之間必須保持高平行度。 為保證設備安全可靠運行,必須把高溫區(qū)域與外界隔絕起來;贑FD技術,本文對MOCVD設備中幾處需冷卻的地方進行模擬設計,確定了幾何結構。
【關鍵詞】:MOCVD 紅外輻射加熱 高頻感應加熱 冷卻
【學位授予單位】:華中科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2008
【分類號】:TK17
【目錄】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-8
- 1 緒論8-19
- 1.1 MOCVD 概述8-11
- 1.2 MOCVD 加熱系統(tǒng)11-15
- 1.3 MOCVD 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀15-17
- 1.4 本文研究的目的和意義17-18
- 1.5 本文研究的主要內(nèi)容和方法18-19
- 2 紅外輻射加熱器19-36
- 2.1 紅外輻射加熱原理19-23
- 2.2 紅外輻射加熱特點及應用23-24
- 2.3 紅外輻射加熱器的模擬設計24-28
- 2.4 紅外輻射加熱器的安裝要求28-29
- 2.5 高溫加熱器中各處電阻計算29-35
- 2.6 本章小結35-36
- 3 高頻感應加熱器36-49
- 3.1 感應加熱原理36-39
- 3.2 感應加熱特點及其應用39-40
- 3.3 高頻感應加熱器模擬設計40-46
- 3.4 高頻感應加熱器的安裝要求46-48
- 3.5 本章小結48-49
- 4 MOCVD 系統(tǒng)冷卻設計49-61
- 4.1 冷卻設計的CFD 技術基礎49-54
- 4.2 石墨基座的冷卻設計54-56
- 4.3 加熱器腔體壁面的冷卻設計56-58
- 4.4 反應廢氣的冷卻設計58-60
- 4.5 本章小結60-61
- 5 總結及展望61-63
- 5.1 總結61
- 5.2 今后工作的建議及展望61-63
- 參考文獻63-65
- 致謝65-66
- 攻讀碩士學位期間發(fā)表的學術論文66
【引證文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 胡瑩璐;李培咸;李志明;吳麗敏;劉紅才;李丁瑋;白俊春;;MOCVD片式紅外輻射系統(tǒng)調節(jié)曲線的仿真與分析[J];電子科技;2012年01期
2 崔琳哲;李書平;康俊勇;;基于LabVIEW的外延片光致發(fā)光掃描系統(tǒng)[J];光子學報;2012年07期
3 關國堅;甘志銀;;基于紅外測溫法的MOCVD工藝溫度分析[J];計量與測試技術;2012年04期
4 陳倩翌;甘志銀;胡少林;;大尺寸MOCVD加熱器的模擬仿真[J];科技傳播;2011年01期
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 陳倩翌;金屬有機化合物化學氣相沉積設備加熱器研究[D];華中科技大學;2011年
2 胡瑩璐;輻射加熱GaN-MOCVD反應室溫度場仿真與設計[D];西安電子科技大學;2012年
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本文編號:392766
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