隨著科技的發(fā)展,傳統(tǒng)微細(xì)通道越來越無法滿足高度集成器件系統(tǒng)的散熱需求。本文通過激光打孔技術(shù)制得具有人工孔穴表面的微細(xì)通道,研究電場(chǎng)作用下人工孔穴表面微細(xì)通道內(nèi)R141b流動(dòng)沸騰傳熱與壓降特性,為電子芯片等新型領(lǐng)域的集成散熱提供參考。研究?jī)?nèi)容主要為:(1)采用不同的微細(xì)通道底部人工孔穴布置方案,在外部施加直流電場(chǎng)的試驗(yàn)平臺(tái)進(jìn)行電場(chǎng)作用下人工孔穴表面微細(xì)通道內(nèi)R141b流動(dòng)沸騰傳熱試驗(yàn)。結(jié)果表明:電場(chǎng)對(duì)人工孔穴表面微細(xì)通道內(nèi)流動(dòng)沸騰傳熱具有明顯的強(qiáng)化作用,其電場(chǎng)強(qiáng)化因子EEF在1.03～1.99之間,人工孔穴表面微細(xì)通道的電場(chǎng)強(qiáng)化因子比相同條件下的普通光滑微細(xì)通道更高。電場(chǎng)對(duì)流動(dòng)沸騰傳熱的強(qiáng)化作用隨入口過冷度、質(zhì)量流率的增大而增大,隨熱流密度的增大而減小,出口熱力平衡干度過大會(huì)降低電場(chǎng)的強(qiáng)化效果,導(dǎo)致平均飽和沸騰傳熱系數(shù)下降。此外,人工孔穴結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)電場(chǎng)的強(qiáng)化流動(dòng)沸騰傳熱作用也有一定影響。(2)通過高速攝像儀進(jìn)行可視化分析,并采用COMSOL軟件進(jìn)行數(shù)值模擬,研究電場(chǎng)作用下人工孔穴表面微細(xì)通道內(nèi)流動(dòng)沸騰傳熱強(qiáng)化機(jī)理。同一電壓下人工孔穴表面微細(xì)通道內(nèi)汽泡數(shù)量較無電場(chǎng)下的提升幅度比普通光滑表面...

【文章頁(yè)數(shù)】：105 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

圖2-1電場(chǎng)中加熱壁面汽泡生長(zhǎng)示意圖

圖2-2孔穴內(nèi)汽泡長(zhǎng)大過程

圖2-3孔穴內(nèi)的核化條件

圖2-4微細(xì)通道板在鋁制微細(xì)通道板上加工出11條通道，如圖2-4所示

本文編號(hào)：3885639