零磁場區(qū)及通道寬度對(duì)霍爾推力器放電特性影響研究
發(fā)布時(shí)間:2021-12-18 16:43
霍爾推力器是一種廣泛應(yīng)用于空間推進(jìn)任務(wù)的電推進(jìn)裝置,具有比沖高、壽命長以及可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。為了滿足不同種類的空間推進(jìn)任務(wù),電推進(jìn)技術(shù)一直在不斷地創(chuàng)新與發(fā)展。霍爾推力器磁場位形和通道寬度是影響推力器性能的重要因素,其對(duì)推力器的影響機(jī)理需要進(jìn)一步探究。本文采用粒子模擬方法(PIC)針對(duì)ATON型P70霍爾推力器放電通道建立二維物理模型,研究霍爾推力器零磁場區(qū)和通道寬度對(duì)等離子體放電特性影響,為推力器磁場位形設(shè)計(jì)和通道寬度選擇提供參考。在建立推力器放電通道二維物理模型的基礎(chǔ)上,通過FEMM軟件設(shè)計(jì)磁場模型得到不同零磁點(diǎn)位置磁場位形,采用粒子模擬方法研究零磁點(diǎn)磁場位形對(duì)推力器離子數(shù)密度、空間電勢、離子徑向速度、電子溫度、電離速率以及比沖等參數(shù)的影響。結(jié)果表明:當(dāng)放電通道中軸線上零磁點(diǎn)位置由陽極向通道出口方向移動(dòng)時(shí),離子數(shù)密度增加,離子徑向速度減小,比沖增大;當(dāng)零磁點(diǎn)位置由通道內(nèi)壁面向外壁面徑向移動(dòng)時(shí),電離區(qū)域也隨之徑向移動(dòng),推力器比沖先減小后增大;當(dāng)零磁點(diǎn)位置靠近內(nèi)壁面時(shí),離子壁面碰撞頻率減小,推力器比沖最大。通過FEMM軟件將推力器磁場模型的壁面內(nèi)徑減小,采用永磁材料代替電磁線圈,在相同磁場...
【文章來源】:大連海事大學(xué)遼寧省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2霉?fàn)柾屏ζ鹘Y(jié)構(gòu)圖[71??'?t??Fig.?1.2?Structure?of?Hall?thruster171??(?1?:?.?‘??'
?零磁場區(qū)及通道寬度對(duì)霍爾推力器放電特性影響研宄???mjKm??圖1.4?A2100M衛(wèi)星平臺(tái)[24]'??Fig.?1.4?A2100M?Satellite?platfonTif24]??日本由于受到美國的影主要進(jìn)行離#推力器的研宂,而對(duì)霍爾推力器的研宄發(fā)??展較晚。日本研究霍爾推力器的主要機(jī)構(gòu)有日本航夫局、東京大學(xué)、名古屋大學(xué)以及大??阪大學(xué)。大阪大學(xué)研究制造的THT型霍爾推力器具有較高的推力,且效率達(dá)到55%[28'29]。??日本為了滿足未來深空探測和火星探測等任務(wù),研發(fā)了?THT-VI?5?kW高比沖霍爾推力??器,該推力器在正常電壓范圍內(nèi)測得的最高比沖為3840?s,最大效率達(dá)61%M1。除此之??夕卜,日本還研發(fā)了?TALT-2型霍爾推力器[3|'32]。??表1.1我國霍爾推力器主要發(fā)展型號(hào)定位N??Tab.?1.1?Main?development?models?of?Hall?Thrusters?in?China【5]??型號(hào)?推力(mN) ̄比沖(s)?功率(W)?主要應(yīng)用領(lǐng)域??HET-20?20?[200?400?低軌微小衛(wèi)星??HET-40?40?1500?600?低軌衛(wèi)星.,GEO?平臺(tái)??HET-80?80?1600?1350?GEO?平臺(tái),空間站??HET-300?80?300?1600?3000?2200 ̄4500?GEO?平臺(tái),全電推進(jìn)平臺(tái)??HET-700?100?700?1600?3000?3000?10000?大型GEO平臺(tái),無人深空探測??HET-1500?250?1500?1600?3200?4000?20000?大型無人深空探測??
?零磁場區(qū)及通道寬度對(duì)霍爾推力器放電特性影響研宄???影響推力器性能。因此,磁場對(duì)霍爾推力器至關(guān)重要,可以通過磁場優(yōu)化提升推力器性??能,圖1.5表示磁場對(duì)等離子體的控制示意圖。??轉(zhuǎn)_??電子軌跡????電SE?加速區(qū)?傳異區(qū)??圖1.5磁場對(duì)等離子體的控制示意圖[67]??Fig.?1.5?Schematic?diagram?of?magnetic?field?control?of?plasma[67]??美國密歇根大學(xué)通過探針測得SPT型霍爾推力器放電通道中的磁場分布,并與??NASA共同研究得到了?NASA-173M型霍爾推力器通道出口處的磁場位形,通過改變磁??路結(jié)構(gòu),測的不同工況下的羽流發(fā)散角。在實(shí)驗(yàn)過程屮,通過在適當(dāng)位置增加線圈改變??放電通道中的磁場位形,得到了具有零磁場區(qū)的磁場位形,提高了磁場對(duì)等離子體的控??制效果,得到了性能更高的NASA-173Mv2推力器_1。法國的Garrigues等通過數(shù)值模??擬方法研究了不同磁場位形下推力器的放電特性,結(jié)果顯示:當(dāng)放電通道內(nèi)的磁場位形??具有零磁場區(qū)時(shí),放電電流更加穩(wěn)定,離子對(duì)壁面轟擊作用更。郏叮梗荨#粒疲颍酰悖瑁簦恚幔畹妊??究了磁場曲率與羽流發(fā)散角的關(guān)系,研究表明:當(dāng)電離區(qū)位于零磁點(diǎn)附近時(shí),羽流發(fā)散??角顯著減小美國普林斯頓大學(xué)主要針對(duì)小功率的SPT霍爾推力器開展研究工作,??研宄發(fā)現(xiàn):在放電通道內(nèi)布置電極會(huì)影響電勢分布,在通道出口處布置電極可以減少/??羽流發(fā)散[71_72]。日本大阪工業(yè)大學(xué)針對(duì)'?!'型霍爾推力器做了大量研究,研究表明:??放電通道內(nèi)磁場位形會(huì)影響放電電流,在質(zhì)t流量保持不變時(shí),增大磁場強(qiáng)度會(huì)導(dǎo)致放??電電流
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]空間電推進(jìn)技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J]. 康小錄,張巖. 上海航天. 2019(06)
[2]陽極層霍爾推力器內(nèi)輪輻效應(yīng)不穩(wěn)定性研究[J]. 趙杰,唐德禮,李平川,許麗,張帆. 推進(jìn)技術(shù). 2020(06)
[3]陽極磁屏蔽對(duì)陽極層霍爾推力器內(nèi)磁極刻蝕的影響[J]. 趙杰,唐德禮,許麗,李平川,張帆,李建,桂兵儀. 物理學(xué)報(bào). 2019(21)
[4]陽極層霍爾推力器的陽極分段形式對(duì)束流分布的影響[J]. 趙杰,唐德禮,李平川,耿少飛. 真空. 2019(04)
[5]中國電推進(jìn)技術(shù)發(fā)展及展望[J]. 于達(dá)仁,喬磊,蔣文嘉,劉輝. 推進(jìn)技術(shù). 2020(01)
[6]磁場對(duì)霍爾推力器放電特性及性能參數(shù)影響的粒子模擬研究[J]. 段萍,宋繼磊,姜博瑞,陳龍,李文慶,胡翔,劉廣睿. 推進(jìn)技術(shù). 2020(01)
[7]圓柱形陽極層霍爾推力器內(nèi)輪輻效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究[J]. 趙杰,唐德禮,李平川,耿少飛. 推進(jìn)技術(shù). 2019(07)
[8]磁場對(duì)高電壓霍爾推力器性能影響研究[J]. 程佳兵,康小錄,杭觀榮,王宣. 推進(jìn)技術(shù). 2019(03)
[9]大功率軌道轉(zhuǎn)移航天器全電推進(jìn)系統(tǒng)研究[J]. 湯章陽,周成,韓冬,馬雪,陳濤. 深空探測學(xué)報(bào). 2018(04)
[10]磁屏蔽霍爾推力器技術(shù)的發(fā)展與展望[J]. 徐亞男,康小錄,余水淋. 深空探測學(xué)報(bào). 2018(04)
博士論文
[1]大高徑比霍爾推力器的理論與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 李杰.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2011
[2]霍爾推力器電子運(yùn)動(dòng)行為的數(shù)值模擬[D]. 劉輝.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009
[3]霍爾推力器通道內(nèi)磁場對(duì)放電特性的影響研究[D]. 鄂鵬.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009
碩士論文
[1]寬范圍工作特性霍爾推力器設(shè)計(jì)及研究[D]. 范昊天.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2019
[2]霍爾推力器磁場及通道寬度對(duì)等離子體放電特性研究影響研究[D]. 胡翔.大連海事大學(xué) 2019
[3]霍爾推力器磁屏蔽磁場構(gòu)型及等離子體放電特性研究[D]. 李文慶.大連海事大學(xué) 2019
[4]基于粒子方法的霍爾推力器放電特性數(shù)值模擬研究[D]. 高志勇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2018
[5]霍爾推力器放電通道壁面分割及磁屏蔽效應(yīng)研究[D]. 邊興宇.大連海事大學(xué) 2018
[6]通道壁面材料布置及磁場對(duì)霍爾推力器放電特性影響研究[D]. 劉廣睿.大連海事大學(xué) 2017
[7]霍爾推力器背景磁場優(yōu)化及其對(duì)等離子體特性影響的數(shù)值研究[D]. 馬照帥.大連理工大學(xué) 2015
[8]霍爾推力器中背景磁場對(duì)電子行為影響的數(shù)值研究[D]. 任靜.大連理工大學(xué) 2014
[9]變截面通道霍爾推力器的理論及實(shí)驗(yàn)研究[D]. 武海峰.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009
[10]磁場位形對(duì)霍爾推力器內(nèi)電子運(yùn)動(dòng)的影響研究[D]. 付海洋.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2008
本文編號(hào):3542787
【文章來源】:大連海事大學(xué)遼寧省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2霉?fàn)柾屏ζ鹘Y(jié)構(gòu)圖[71??'?t??Fig.?1.2?Structure?of?Hall?thruster171??(?1?:?.?‘??'
?零磁場區(qū)及通道寬度對(duì)霍爾推力器放電特性影響研宄???mjKm??圖1.4?A2100M衛(wèi)星平臺(tái)[24]'??Fig.?1.4?A2100M?Satellite?platfonTif24]??日本由于受到美國的影主要進(jìn)行離#推力器的研宂,而對(duì)霍爾推力器的研宄發(fā)??展較晚。日本研究霍爾推力器的主要機(jī)構(gòu)有日本航夫局、東京大學(xué)、名古屋大學(xué)以及大??阪大學(xué)。大阪大學(xué)研究制造的THT型霍爾推力器具有較高的推力,且效率達(dá)到55%[28'29]。??日本為了滿足未來深空探測和火星探測等任務(wù),研發(fā)了?THT-VI?5?kW高比沖霍爾推力??器,該推力器在正常電壓范圍內(nèi)測得的最高比沖為3840?s,最大效率達(dá)61%M1。除此之??夕卜,日本還研發(fā)了?TALT-2型霍爾推力器[3|'32]。??表1.1我國霍爾推力器主要發(fā)展型號(hào)定位N??Tab.?1.1?Main?development?models?of?Hall?Thrusters?in?China【5]??型號(hào)?推力(mN) ̄比沖(s)?功率(W)?主要應(yīng)用領(lǐng)域??HET-20?20?[200?400?低軌微小衛(wèi)星??HET-40?40?1500?600?低軌衛(wèi)星.,GEO?平臺(tái)??HET-80?80?1600?1350?GEO?平臺(tái),空間站??HET-300?80?300?1600?3000?2200 ̄4500?GEO?平臺(tái),全電推進(jìn)平臺(tái)??HET-700?100?700?1600?3000?3000?10000?大型GEO平臺(tái),無人深空探測??HET-1500?250?1500?1600?3200?4000?20000?大型無人深空探測??
?零磁場區(qū)及通道寬度對(duì)霍爾推力器放電特性影響研宄???影響推力器性能。因此,磁場對(duì)霍爾推力器至關(guān)重要,可以通過磁場優(yōu)化提升推力器性??能,圖1.5表示磁場對(duì)等離子體的控制示意圖。??轉(zhuǎn)_??電子軌跡????電SE?加速區(qū)?傳異區(qū)??圖1.5磁場對(duì)等離子體的控制示意圖[67]??Fig.?1.5?Schematic?diagram?of?magnetic?field?control?of?plasma[67]??美國密歇根大學(xué)通過探針測得SPT型霍爾推力器放電通道中的磁場分布,并與??NASA共同研究得到了?NASA-173M型霍爾推力器通道出口處的磁場位形,通過改變磁??路結(jié)構(gòu),測的不同工況下的羽流發(fā)散角。在實(shí)驗(yàn)過程屮,通過在適當(dāng)位置增加線圈改變??放電通道中的磁場位形,得到了具有零磁場區(qū)的磁場位形,提高了磁場對(duì)等離子體的控??制效果,得到了性能更高的NASA-173Mv2推力器_1。法國的Garrigues等通過數(shù)值模??擬方法研究了不同磁場位形下推力器的放電特性,結(jié)果顯示:當(dāng)放電通道內(nèi)的磁場位形??具有零磁場區(qū)時(shí),放電電流更加穩(wěn)定,離子對(duì)壁面轟擊作用更。郏叮梗荨#粒疲颍酰悖瑁簦恚幔畹妊??究了磁場曲率與羽流發(fā)散角的關(guān)系,研究表明:當(dāng)電離區(qū)位于零磁點(diǎn)附近時(shí),羽流發(fā)散??角顯著減小美國普林斯頓大學(xué)主要針對(duì)小功率的SPT霍爾推力器開展研究工作,??研宄發(fā)現(xiàn):在放電通道內(nèi)布置電極會(huì)影響電勢分布,在通道出口處布置電極可以減少/??羽流發(fā)散[71_72]。日本大阪工業(yè)大學(xué)針對(duì)'?!'型霍爾推力器做了大量研究,研究表明:??放電通道內(nèi)磁場位形會(huì)影響放電電流,在質(zhì)t流量保持不變時(shí),增大磁場強(qiáng)度會(huì)導(dǎo)致放??電電流
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]空間電推進(jìn)技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J]. 康小錄,張巖. 上海航天. 2019(06)
[2]陽極層霍爾推力器內(nèi)輪輻效應(yīng)不穩(wěn)定性研究[J]. 趙杰,唐德禮,李平川,許麗,張帆. 推進(jìn)技術(shù). 2020(06)
[3]陽極磁屏蔽對(duì)陽極層霍爾推力器內(nèi)磁極刻蝕的影響[J]. 趙杰,唐德禮,許麗,李平川,張帆,李建,桂兵儀. 物理學(xué)報(bào). 2019(21)
[4]陽極層霍爾推力器的陽極分段形式對(duì)束流分布的影響[J]. 趙杰,唐德禮,李平川,耿少飛. 真空. 2019(04)
[5]中國電推進(jìn)技術(shù)發(fā)展及展望[J]. 于達(dá)仁,喬磊,蔣文嘉,劉輝. 推進(jìn)技術(shù). 2020(01)
[6]磁場對(duì)霍爾推力器放電特性及性能參數(shù)影響的粒子模擬研究[J]. 段萍,宋繼磊,姜博瑞,陳龍,李文慶,胡翔,劉廣睿. 推進(jìn)技術(shù). 2020(01)
[7]圓柱形陽極層霍爾推力器內(nèi)輪輻效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究[J]. 趙杰,唐德禮,李平川,耿少飛. 推進(jìn)技術(shù). 2019(07)
[8]磁場對(duì)高電壓霍爾推力器性能影響研究[J]. 程佳兵,康小錄,杭觀榮,王宣. 推進(jìn)技術(shù). 2019(03)
[9]大功率軌道轉(zhuǎn)移航天器全電推進(jìn)系統(tǒng)研究[J]. 湯章陽,周成,韓冬,馬雪,陳濤. 深空探測學(xué)報(bào). 2018(04)
[10]磁屏蔽霍爾推力器技術(shù)的發(fā)展與展望[J]. 徐亞男,康小錄,余水淋. 深空探測學(xué)報(bào). 2018(04)
博士論文
[1]大高徑比霍爾推力器的理論與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 李杰.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2011
[2]霍爾推力器電子運(yùn)動(dòng)行為的數(shù)值模擬[D]. 劉輝.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009
[3]霍爾推力器通道內(nèi)磁場對(duì)放電特性的影響研究[D]. 鄂鵬.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009
碩士論文
[1]寬范圍工作特性霍爾推力器設(shè)計(jì)及研究[D]. 范昊天.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2019
[2]霍爾推力器磁場及通道寬度對(duì)等離子體放電特性研究影響研究[D]. 胡翔.大連海事大學(xué) 2019
[3]霍爾推力器磁屏蔽磁場構(gòu)型及等離子體放電特性研究[D]. 李文慶.大連海事大學(xué) 2019
[4]基于粒子方法的霍爾推力器放電特性數(shù)值模擬研究[D]. 高志勇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2018
[5]霍爾推力器放電通道壁面分割及磁屏蔽效應(yīng)研究[D]. 邊興宇.大連海事大學(xué) 2018
[6]通道壁面材料布置及磁場對(duì)霍爾推力器放電特性影響研究[D]. 劉廣睿.大連海事大學(xué) 2017
[7]霍爾推力器背景磁場優(yōu)化及其對(duì)等離子體特性影響的數(shù)值研究[D]. 馬照帥.大連理工大學(xué) 2015
[8]霍爾推力器中背景磁場對(duì)電子行為影響的數(shù)值研究[D]. 任靜.大連理工大學(xué) 2014
[9]變截面通道霍爾推力器的理論及實(shí)驗(yàn)研究[D]. 武海峰.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009
[10]磁場位形對(duì)霍爾推力器內(nèi)電子運(yùn)動(dòng)的影響研究[D]. 付海洋.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2008
本文編號(hào):3542787
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