發(fā)布時(shí)間：2017-11-07 10:40

  本文關(guān)鍵詞：截面形狀對(duì)疏水性微肋陣內(nèi)減阻特性的影響

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【摘要】：在截面為圓形、菱形和橢圓形微肋陣內(nèi)涂覆不同性能的疏水性涂層,形成疏水性微肋陣。去離子水在疏水性微肋陣內(nèi)表面的接觸角分別為99.5°、119.5°和151.5°。測試去離水以不同流速流經(jīng)疏水性試驗(yàn)段流道內(nèi)壓力降和摩擦阻力系數(shù)。試驗(yàn)結(jié)果表明,在相同的接觸角和流量下,圓形微肋陣內(nèi)壓力降最高而橢圓形最低;當(dāng)接觸角為99.5°,雷諾數(shù)Re低于600時(shí),橢圓形微肋陣內(nèi)減阻率要高于菱形和圓形微肋陣,當(dāng)Re600時(shí)前者要低于后兩者。隨著接觸角的增大,圓形內(nèi)減阻率要明顯高于菱形和橢圓形微肋陣,菱形和橢圓形微肋陣在低Re下較為接近,在高Re下前者的減阻率要高于后者;表面疏水性處理能夠顯著降低摩擦阻力,同時(shí)推遲流動(dòng)分離和尾流區(qū)轉(zhuǎn)捩,因此對(duì)于分離較早、壓差阻力較大的微肋陣的減阻效果更加明顯。
【作者單位】： 山東省科學(xué)院能源研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51176105) 山東省自然科學(xué)基金(ZR2012EEQ015) 山東省科技發(fā)展計(jì)劃(2014GGX104008)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TK124
【正文快照】： 0前言* 近年來,隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary metal oxide semiconductor,CMOS)領(lǐng)域?qū)ξ⑿】臻g散熱的要求越來越苛刻,高效微型 散熱機(jī)構(gòu)內(nèi)部流動(dòng)及傳熱機(jī)理的研究在國內(nèi)外傳熱界已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)[1]。在微納米尺度范圍內(nèi),通道內(nèi)顯著的表面效應(yīng)和極高的面體比使過，

本文編號(hào)：1152084