磷化銦高壓單晶爐的單機微型網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)設(shè)計
本文關(guān)鍵詞:磷化銦高壓單晶爐的單機微型網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)設(shè)計
更多相關(guān)文章: TCP/IP Modbus RTU PLC 觸摸屏
【摘要】:隨著磷化銦單晶材料在民用及軍用領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,磷化銦單晶的制備也變得越來越重要,尤其是大尺寸高純度磷化銦單晶的制備更能受到材料和設(shè)備制造商的重視。磷化銦高壓單晶爐就是為了滿足大尺寸高純度的磷化銦單晶的生產(chǎn)而專門設(shè)計的。磷化銦高壓單晶爐的單機微型網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)是嚴(yán)格按照磷化銦單晶生產(chǎn)工藝的特點和技術(shù)要求專門為磷化銦高壓單晶爐設(shè)計。在該系統(tǒng)中包含了熱場溫度控制與提升系統(tǒng)速度控制這兩個關(guān)鍵的也是技術(shù)指標(biāo)要求最嚴(yán)的控制部分的設(shè)計。另一方面應(yīng)根據(jù)實際使用情況,在節(jié)省成本的前提下,為了滿足生產(chǎn)過程數(shù)據(jù)顯示的便利性與遠(yuǎn)端監(jiān)控的需求,設(shè)計了一套由兩種不同通訊協(xié)議(MODBUS RTU和TCP/IP)組成的單機微型網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)。在上下傳動的速度控制設(shè)計中分別采用單電機雙減速器的機械結(jié)構(gòu)并配合相應(yīng)電氣設(shè)計解決了上下傳動速度系統(tǒng)要同時滿足慢速精度問題與快速升降時的快速速度問題;溫度系統(tǒng)的控制要分別包括左右磷泡加熱、視窗加熱和主爐室內(nèi)三段加熱的控溫精度與溫度顯示;而溫度顯示的解決方法則是三個將熱電偶的溫度信號分別通過三個溫度控制器(歐陸)的RS485的通訊功能上傳到觸摸屏的指定地址中,從而實現(xiàn)加熱溫度的顯示與加熱溫度信號在整個控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)通訊。利用觸摸屏的MultiTalk功能和自身多接口的硬件優(yōu)勢,將以RS485通訊的MODBUS RTU協(xié)議的通訊數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換到以TCP/IP協(xié)議通訊的由觸摸屏、PLC和PC組成的網(wǎng)絡(luò)中,從而完成兩種不同通訊協(xié)議的數(shù)據(jù)聯(lián)通,實現(xiàn)了PLC對溫度信號的采集與PC機作為遠(yuǎn)端監(jiān)控數(shù)據(jù)的用途。
【學(xué)位授予單位】:北京工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TP273;TK175
【相似文獻(xiàn)】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條
1 唐厚舜;;氣流攪動法高壓合成磷化銦[J];復(fù)旦學(xué)報(自然科學(xué)版);1981年03期
2 李自應(yīng);;鎘在磷化銦中擴散的研究[J];云南師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1989年03期
3 張照炎;加快衛(wèi)星數(shù)據(jù)傳輸?shù)男虏牧稀谆焄J];國際太空;2002年05期
4 王紅理;王東;劉暉;張衛(wèi)華;陳光德;;納米磷化銦的制備及其表征[J];西安交通大學(xué)學(xué)報;2006年02期
5 ;[J];;年期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條
1 王陽;楊瑞霞;楊帆;劉志國;李曉嵐;康永;張鑫;李寧;孫同年;孫聶楓;;磷化銦材料的熱穩(wěn)定性研究[A];第十六屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集-02半導(dǎo)體材料器件及應(yīng)用[C];2012年
2 孫聶楓;毛陸虹;郭維廉;吳霞宛;楊瑞霞;周曉龍;孫同年;;磷注入法合成磷化銦[A];中國晶體學(xué)會第四屆全國會員代表大會暨學(xué)術(shù)會議學(xué)術(shù)論文摘要集[C];2008年
3 孫聶楓;周曉龍;孫同年;楊瑞霞;張偉玉;;LEC法生長InP長單晶[A];提高全民科學(xué)素質(zhì)、建設(shè)創(chuàng)新型國家——2006中國科協(xié)年會論文集(下冊)[C];2006年
中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前3條
1 ;磷化銦技術(shù)將保持快速發(fā)展[N];中國電子報;2002年
2 劉力;磷化銦單晶生長技術(shù)獲突破[N];中國電子報;2002年
3 ;成功研發(fā)全球首個混合硅激光器[N];人民郵電;2006年
中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 孫聶楓;InP晶體合成、生長和特性[D];天津大學(xué);2008年
中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 張鵬;磷化銦高壓單晶爐的單機微型網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)設(shè)計[D];北京工業(yè)大學(xué);2016年
2 孫聶楓;高質(zhì)量、大直徑磷化銦單晶研究[D];天津大學(xué);2004年
3 袁安剛;磷化銦基梯度漸變結(jié)構(gòu)制備及光學(xué)特性研究[D];長春理工大學(xué);2013年
4 劉志國;磷化銦晶體中與配比相關(guān)的缺陷密度研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2014年
,本文編號:1143438
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dongligc/1143438.html