應(yīng)用傳統(tǒng)單顆粒方法對(duì)目標(biāo)礦物進(jìn)行定年具有較高要求（如U、Th等母體同位素均勻分布）,需要耗時(shí)的酸溶過程,同時(shí)還需進(jìn)行α粒子射出效應(yīng)校正。原位U-Th/He同位素定年技術(shù)是近年發(fā)展起來的一種定年技術(shù),其主要原理是采用激光加熱目標(biāo)礦物,并通過與激光系統(tǒng)連接的稀有氣體質(zhì)譜（Alphachron）和電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）分別完成 ⁴He和U、Th等母體同位素分析,將 ⁴He和U、Th分析結(jié)果代入年齡公式計(jì)算即可獲得目標(biāo)礦物的U-Th/He年齡。本文闡述了原位U-Th/He同位素定年技術(shù)的主要原理、實(shí)驗(yàn)測(cè)試流程、適用礦物等,重點(diǎn)對(duì)原位U-Th/He同位素定年的技術(shù)難點(diǎn)和低溫礦床學(xué)應(yīng)用前景進(jìn)行了分析。相對(duì)于傳統(tǒng)單顆粒方法,原位測(cè)試方法解決了兩個(gè)關(guān)鍵問題:1無(wú)需進(jìn)行α粒子射出效應(yīng)的校正,提高了定年結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確度;2能完成母體同位素分布不均勻樣品的測(cè)試,擴(kuò)展了U-Th/He同位素定年的應(yīng)用范圍。盡管原位U-Th/He同位素定年技術(shù)在側(cè)向加熱效應(yīng)、剝蝕坑體積測(cè)定以及標(biāo)準(zhǔn)礦物等方面尚存在一些亟待解決的問題,但已在硅酸鹽、磷酸鹽、鈦鐵氧化物等礦...

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(a)和(b)據(jù)文獻(xiàn)［75］;(c)和(d)據(jù)文獻(xiàn)［33］。圖2剝蝕坑形態(tài)與剝蝕深度的關(guān)系示意圖Fig．2Schematicdiagramsforevolutionofablationpittopologywithincreasingdepth(aandbarefromＲefer....

(a)和(b)據(jù)文獻(xiàn)［75］;(c)和(d)據(jù)文獻(xiàn)［33］。圖2剝蝕坑形態(tài)與剝蝕深度的關(guān)系示意圖Fig．2Schematicdiagramsforevolutionofablationpittopologywithincreasingdepth(aandbarefromＲefer....

本文編號(hào)：4011555