本文關(guān)鍵詞：考慮單粒子多瞬態(tài)故障的數(shù)字電路失效概率評估

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【摘要】：為了準(zhǔn)確評估電路的失效概率,提出一種考慮單粒子多瞬態(tài)(SEMT)的數(shù)字電路失效概率評估方法.該方法通過解析電路門級網(wǎng)表提取SEMT故障位置對;使用雙指數(shù)電流源模型模擬故障注入,通過SEMT脈沖復(fù)合模型將SEMT脈沖轉(zhuǎn)化為復(fù)合的SET脈沖并沿數(shù)據(jù)通路向下游傳播;在脈沖傳播過程中,使用SEMT脈沖屏蔽模型評估邏輯屏蔽、電氣屏蔽與時窗屏蔽效應(yīng),使用電路失效概率計算方法得到電路總體失效概率.實驗結(jié)果表明,與同類方法相比,文中方法計算結(jié)果更為精確;與基于統(tǒng)計的蒙特卡羅方法相比,該方法的相對誤差僅為2%,能夠有效地指導(dǎo)集成電路容錯設(shè)計.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)計算機與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 失效概率 軟錯誤 單粒子多瞬態(tài) 信號概率
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61274036,61574052,61371025,61106038) 安徽省高校省級自然科學(xué)研究重大項目(KJ2014ZD12)
【分類號】：TN79
【正文快照】： 集成電路工藝水平的不斷進步,對由空間輻射效應(yīng)引發(fā)的集成電路可靠性提出巨大挑戰(zhàn)[1].軟錯誤是由粒子輻射等因素導(dǎo)致的電路邏輯狀態(tài)或存貯信息發(fā)生錯誤的現(xiàn)象.納米工藝下,軟錯誤對電路可靠性造成嚴(yán)重影響[2].因此在集成電路設(shè)計階段對電路失效概率進行有效評估,能夠為電路選擇

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：986828