LED片式COB光源熒光膠層失效XPS分析
本文關(guān)鍵詞:LED片式COB光源熒光膠層失效XPS分析
更多相關(guān)文章: LED失效 COB光源 成分分析 XPS分析
【摘要】:在某些長(zhǎng)期服役情況下,部分LED片式COB光源熒光膠發(fā)黑,影響了光的轉(zhuǎn)換和取出。利用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)觀(guān)察熒光膠表面形貌,并用X射線(xiàn)光電子能譜儀(XPS)分析發(fā)黑前后熒光膠層的組成與化學(xué)鍵的變化。結(jié)果表明:老化發(fā)黑的試樣中C的原子分?jǐn)?shù)從59.26%增加至79.05%;Si的原子分?jǐn)?shù)基本沒(méi)有變化;隨著老化發(fā)黑程度的加深,C=C鍵和C=O(O-C=O)鍵的相對(duì)含量分別由54.6%和6.2%降低至30.4%和3.0%,C=C和C=O鍵被大量分解,形成游離的C和O元素,富積在芯片表面形成了黑色物質(zhì)。
【作者單位】: 華中科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: LED失效 COB光源 成分分析 XPS分析
【基金】:廣東省產(chǎn)學(xué)研計(jì)劃基金項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):2013B090600031)
【分類(lèi)號(hào)】:TN312.8
【正文快照】: 可靠性是影響發(fā)光二極管(LED)性能的主要因類(lèi)似的現(xiàn)象發(fā)生。實(shí)驗(yàn)表明LED片式COB光源芯片素。功率型LED失效的原因主要是發(fā)光芯片的老化和發(fā)出的藍(lán)光會(huì)使封裝芯片表面的熒光膠出現(xiàn)發(fā)黑的封裝材料性能的退化,結(jié)溫和電流都會(huì)加速LED的老現(xiàn)象,發(fā)黑的LED片式COB樣品光衰嚴(yán)重,色溫明
【相似文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條
1 邁克·伍德;施端;;板載芯片(COB)封裝技術(shù)[J];演藝科技;2013年09期
2 夏林,,趙剛,孫青林,王德會(huì),趙英;板上芯片(COB)的熱應(yīng)力分析[J];天津理工學(xué)院學(xué)報(bào);1995年01期
3 張繼;劉明峰;郭良權(quán);王成;;基于COB組裝工藝的芯片失效分析[J];電子與封裝;2006年10期
4 趙剛,孫青林,趙英;板上芯片(COB)技術(shù)的特點(diǎn)及應(yīng)用[J];電子展望與決策;1995年01期
5 ;[J];;年期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條
1 袁豪磊;王耀明;張功鍍;;應(yīng)用于COB技術(shù)中的芯片焊盤(pán)自動(dòng)識(shí)別技術(shù)[A];上海市化學(xué)化工學(xué)會(huì)2006年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2006年
2 黃承斌;王憶;彭渤;;大功率LED COB封裝關(guān)鍵技術(shù)的研究與分析[A];“廣東省光學(xué)學(xué)會(huì)2013年學(xué)術(shù)交流大會(huì)”暨“粵港臺(tái)光學(xué)界產(chǎn)學(xué)研合作交流大會(huì)”會(huì)議手冊(cè)論文集[C];2013年
3 陳繼龍;譚吉志;閆國(guó)棟;鄧國(guó)強(qiáng);祝炳忠;梁鳴娟;石智偉;;實(shí)現(xiàn)道路均勻照明的COB集成光源的反射器設(shè)計(jì)[A];2013年中國(guó)照明論壇——LED照明產(chǎn)品設(shè)計(jì)、應(yīng)用與創(chuàng)新論壇論文集[C];2013年
中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 李洵穎 連于慧 DigiTimes;瞄準(zhǔn)小卡商機(jī) 多家封裝廠(chǎng)跨入COB工藝[N];電子資訊時(shí)報(bào);2006年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
1 祁姝琪;LED芯片的COB封裝技術(shù)[D];杭州電子科技大學(xué);2013年
2 連興峰;COB及疊層熱致封裝效應(yīng)對(duì)微構(gòu)件特性的影響[D];福建農(nóng)林大學(xué);2013年
本文編號(hào):985963
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/985963.html