本文關(guān)鍵詞：高Al組分AlGaN多量子阱結(jié)構(gòu)材料發(fā)光機(jī)制探討

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【摘要】：紫外LED的發(fā)光功率和效率還遠(yuǎn)不能令人們滿意,波長(zhǎng)短于300 nm的深紫外LED的發(fā)光效率普遍較低。厘清高Al組分Al Ga N多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光機(jī)制將有利于探索改善深紫外LED的發(fā)光效率的新途徑、新方法。為此,本文通過(guò)金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)外延生長(zhǎng)了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al組分AlGa N多量子阱結(jié)構(gòu)材料,并對(duì)其進(jìn)行變溫光致發(fā)光譜測(cè)試,結(jié)合數(shù)值計(jì)算,深入探討了Al Ga N量子阱的發(fā)光機(jī)制。研究表明,量子阱中具有很強(qiáng)的局域化效應(yīng),其發(fā)光和局域激子的跳躍息息相關(guān),而發(fā)光的猝滅則與局域激子的解局域以及位錯(cuò)引起的非輻射復(fù)合有關(guān)。
【作者單位】： 廈門大學(xué)物理系福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： AlGaN 多量子阱結(jié)構(gòu) 深紫外LED 發(fā)光機(jī)制
【基金】：“973”國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2012CB619300) “863”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2014AA032608) 國(guó)家自然科學(xué)基金(U1405253;61227009;11204254;11404271) 福建省自然科學(xué)基金(2015J01028)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： 1引言Al Ga N半導(dǎo)體材料具有很寬的直接帶隙,禁帶寬度從3.4~6.2 e V連續(xù)可調(diào),使其光響應(yīng)波段覆蓋從近紫外(UVA)到深紫外(UVC)波段(200~365 nm)。此外,Al Ga N基半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率、高擊穿電壓、低介電常數(shù)、抗輻射、以及穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)等諸多優(yōu)異性

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 張小玲,呂長(zhǎng)治,謝雪松,李志國(guó),曹春海,李拂曉,陳堂勝,陳效建;AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2003年08期

2 陳裕權(quán);;高性能AlGaN/GaN HFET[J];半導(dǎo)體信息;2003年01期

3 李娜,趙德剛,楊輝;AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中極化效應(yīng)的模擬[J];中國(guó)科學(xué)G輯:物理學(xué)、力學(xué)、天文學(xué);2004年04期

4 邵慶輝,葉志鎮(zhèn),黃靖云,趙炳輝,江紅星,林景瑜;AlGaN肖特基勢(shì)壘二極管的研制[J];浙江大學(xué)學(xué)報(bào)(工學(xué)版);2004年10期

5 朱修殿;呂長(zhǎng)志;魯小妹;張小玲;張浩;徐立國(guó);;AlGaN/GaN HEMT高溫特性的研究進(jìn)展[J];半導(dǎo)體技術(shù);2006年01期

6 張志國(guó);楊瑞霞;李麗;馮震;王勇;楊克武;;藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN HFET功率特性[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2006年07期

7 郝躍;韓新偉;張進(jìn)城;張金鳳;;AlGaN/GaN HEMT器件直流掃描電流崩塌機(jī)理及其物理模型[J];物理學(xué)報(bào);2006年07期

8 馬香柏;郝躍;張進(jìn)城;;微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究進(jìn)展[J];電子科技;2006年10期

9 謝自力;張榮;劉斌;姬小利;李亮;修向前;江若璉;龔海梅;趙紅;韓平;施毅;鄭有p，

本文編號(hào)：982795