本文關(guān)鍵詞：高Al組分AlGaN多量子阱結(jié)構(gòu)材料發(fā)光機制探討

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【摘要】：紫外LED的發(fā)光功率和效率還遠不能令人們滿意,波長短于300 nm的深紫外LED的發(fā)光效率普遍較低。厘清高Al組分Al Ga N多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光機制將有利于探索改善深紫外LED的發(fā)光效率的新途徑、新方法。為此,本文通過金屬有機氣相外延技術(shù)外延生長了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al組分AlGa N多量子阱結(jié)構(gòu)材料,并對其進行變溫光致發(fā)光譜測試,結(jié)合數(shù)值計算,深入探討了Al Ga N量子阱的發(fā)光機制。研究表明,量子阱中具有很強的局域化效應(yīng),其發(fā)光和局域激子的跳躍息息相關(guān),而發(fā)光的猝滅則與局域激子的解局域以及位錯引起的非輻射復(fù)合有關(guān)。
【作者單位】： 廈門大學(xué)物理系福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點實驗室半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： AlGaN 多量子阱結(jié)構(gòu) 深紫外LED 發(fā)光機制
【基金】：“973”國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2012CB619300) “863”國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(2014AA032608) 國家自然科學(xué)基金(U1405253;61227009;11204254;11404271) 福建省自然科學(xué)基金(2015J01028)資助項目
【分類號】：TN304
【正文快照】： 1引言Al Ga N半導(dǎo)體材料具有很寬的直接帶隙,禁帶寬度從3.4~6.2 e V連續(xù)可調(diào),使其光響應(yīng)波段覆蓋從近紫外(UVA)到深紫外(UVC)波段(200~365 nm)。此外,Al Ga N基半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率、高擊穿電壓、低介電常數(shù)、抗輻射、以及穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)等諸多優(yōu)異性

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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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3 李娜,趙德剛,楊輝;AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中極化效應(yīng)的模擬[J];中國科學(xué)G輯:物理學(xué)、力學(xué)、天文學(xué);2004年04期

4 邵慶輝,葉志鎮(zhèn),黃靖云,趙炳輝,江紅星,林景瑜;AlGaN肖特基勢壘二極管的研制[J];浙江大學(xué)學(xué)報(工學(xué)版);2004年10期

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9 謝自力;張榮;劉斌;姬小利;李亮;修向前;江若璉;龔海梅;趙紅;韓平;施毅;鄭有p，

本文編號：982795