本文關鍵詞：含鉛GaSb基半導體的熱電輸運特性

  更多相關文章： 熱電材料 GaSb基半導體 結構缺陷 聲電輸運特性

【摘要】：GaSb是III-V族系列直接帶隙半導體材料,其內部的缺陷性質對調控材料的熱電性能具有重要作用。研究發(fā)現(xiàn),在GaSb中摻雜Pb后材料內部產生了大量的反結構受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb+Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2+Ga濃度減少。這些缺陷濃度的變化直接調控了材料的熱電輸運性能。例如,摻雜0.25%Pb后,室溫載流子濃度由未摻雜時的~5.04×1023m-3突增到9.50×1025m-3;在867K時,電導率由0.56×104Ω-1·m-1增加到4.82×104Ω-1·m-1;晶格熱導率由4.63W·K-1·m-1下降到3.41W·K-1·m-1。最大熱電優(yōu)值(ZT)為0.21,約是未摻雜GaSb最大ZT值的10倍。
【作者單位】： 黑龍江工業(yè)學院大功率電牽引采煤機重點實驗室;中國礦業(yè)大學材料科學與工程學院;寧波工程學院材料學院;
【關鍵詞】： 熱電材料 GaSb基半導體 結構缺陷 聲電輸運特性
【基金】：國家自然科學基金(51171084) 浙江省自然科學基金(LY14E010003) 寧波市自然科學基金(2014A610016)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： (Received 6 October 2015,accepted 9 November 2015)1引言材料的熱電性能主要由熱電優(yōu)值(ZT)來表征,ZT=α2σT/k,其中α,σ,T和k分別是Seebeck系數(shù)、電導率、溫度和總熱導率。而總熱導率(k)則主要由載流子熱導率(ke)和晶格熱導率(kL)組成,前者可通過Wiedemann-Franz定律ke=L，

本文編號：977695