西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在先進(jìn)微電子器件研究領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展
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更多相關(guān)文章: 微電子器件 電容效應(yīng) 器件技術(shù) Electron 擺幅 亞閾值 研究成果 按比例縮小 寬禁帶半導(dǎo)體 反型層
【摘要】:正日前,西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士研究團(tuán)隊(duì)在負(fù)電容鍺與鍺錫溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)研究領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展,首次通過實(shí)驗(yàn),系統(tǒng)地驗(yàn)證了鐵電MOSFET器件中的負(fù)電容效應(yīng)以及負(fù)電容對(duì)器件電流和亞閾值擺幅的提升作用。在美國(guó)舊金山舉行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting
【關(guān)鍵詞】: 微電子器件;電容效應(yīng);器件技術(shù);Electron;擺幅;亞閾值;研究成果;按比例縮小;寬禁帶半導(dǎo)體;反型層;
【分類號(hào)】:TN386
【正文快照】: 日前,西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士研究團(tuán)隊(duì)在負(fù)電容鍺與鍺錫溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)研究領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展,首次通過實(shí)驗(yàn),系統(tǒng)地驗(yàn)證了鐵電MOSFET器件中的負(fù)電容效應(yīng)以及負(fù)電容對(duì)器件電流和亞閾值擺幅的提升作用。在美國(guó)舊金山舉行的2016年IEEE
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,本文編號(hào):977635
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