發(fā)布時間：2017-10-05 03:09

  本文關(guān)鍵詞：二維硒化鉬薄膜的研究進展

  更多相關(guān)文章： MoSe 直接帶隙半導(dǎo)體 二維納米材料 化學(xué)氣相沉積(CVD)法 層狀結(jié)構(gòu) 光學(xué)二次諧波

【摘要】：少數(shù)層MoSe_2材料作為一種新型半導(dǎo)體材料,具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。綜述了單層或數(shù)層MoSe_2二維材料的特性,簡述了MoSe_2二維納米材料的主要制備方法,包括機械剝離法、化學(xué)氣相沉積(CVD)法和分子束外延(MBE)法。MoSe_2材料可形成直接帶隙半導(dǎo)體材料,MoSe_2場效應(yīng)管應(yīng)用了MoSe_2材料良好的電學(xué)特性,由于MoSe_2材料具有優(yōu)異的光學(xué)特性,因此可用于制作二次諧波器。介紹了MoSe_2二維材料中光二次諧波的產(chǎn)生及相關(guān)特性,并列舉了MoSe_2二維材料在晶體管、光學(xué)探測器方面現(xiàn)有的研究及應(yīng)用。最后指出,提升制備效率是使MoSe_2材料得到廣泛應(yīng)用的必備條件。
【作者單位】： 蘇州科技學(xué)院數(shù)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： MoSe 直接帶隙半導(dǎo)體 二維納米材料 化學(xué)氣相沉積(CVD)法 層狀結(jié)構(gòu) 光學(xué)二次諧波
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(31570515) 蘇州市科技計劃項目(SYN201511)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 0引言二維過渡金屬硫族化合物(MX2,M為過渡金屬元素,X為硫族元素),包含MoS2,MoSe2,WS2和WSe2等構(gòu)成的二維材料,其帶隙寬度正好介于寬帶隙半導(dǎo)體材料與石墨烯材料零帶隙之間,不僅可以彌補石墨烯材料零帶隙的不足,而且更符合未來半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展對半導(dǎo)體材料的要求。另外,過渡金

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本文編號：974406