發(fā)布時(shí)間：2017-10-04 04:00

  本文關(guān)鍵詞：一種溝槽型場(chǎng)限環(huán)VDMOSFET終端結(jié)構(gòu)

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【摘要】：場(chǎng)限環(huán)結(jié)構(gòu)以其簡(jiǎn)單的工藝和較高的效率,在垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管終端結(jié)構(gòu)中得到廣泛應(yīng)用,但其性能的提高也有限制。溝槽型終端結(jié)構(gòu)對(duì)刻蝕工藝要求較高,并未在實(shí)際生產(chǎn)中得到大量應(yīng)用。將場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)與溝槽終端結(jié)構(gòu)相結(jié)合,設(shè)計(jì)了一種溝槽型場(chǎng)限環(huán)終端,在149.7μm的有效終端長度上實(shí)現(xiàn)了708V的仿真擊穿電壓。此結(jié)構(gòu)可以得到較大的結(jié)深,硅體內(nèi)部高電場(chǎng)區(qū)距離表面較遠(yuǎn),硅表面電場(chǎng)僅為1.83E5V/cm,具有較高的可靠性。同時(shí),工藝中只增加了溝槽刻蝕和斜離子里注入,沒有增加額外的掩膜。
【作者單位】： 西南交通大學(xué)微電子研究所;
【關(guān)鍵詞】： 場(chǎng)限環(huán) 溝槽終端 擊穿電壓
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61271090;61531016) 四川省科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目(2015GZ0103)
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 1引言通常,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-SemiconductorField Transistor,VDMOS)由元胞和終端組成。終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的目的是為了減小局部電場(chǎng)、提高器件表面擊穿電壓及可靠性,它決定了器件整體的耐壓特性。終端結(jié)構(gòu)通常可以分為兩大，

本文編號(hào)：968459