高探測(cè)效率CMOS單光子雪崩二極管器件
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更多相關(guān)文章: 單光子雪崩二極管 標(biāo)準(zhǔn).μm CMOS工藝 保護(hù)環(huán) 深n阱 響應(yīng)度 dB帶寬 光子探測(cè)效率
【摘要】:基于標(biāo)準(zhǔn)0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種單光子雪崩二極管器件.采用p+n阱型二極管結(jié)構(gòu),同時(shí)引進(jìn)保護(hù)環(huán)與深n阱結(jié)構(gòu)以提高單光子雪崩二極管性能;研究了擴(kuò)散n阱保護(hù)環(huán)寬度對(duì)雪崩擊穿特性的影響;對(duì)器件的電場(chǎng)分布、擊穿特性、光子探測(cè)效率、頻率響應(yīng)等特性進(jìn)行了分析.仿真結(jié)果表明:所設(shè)計(jì)的單光子雪崩二極管器件結(jié)構(gòu)直徑為10μm,擴(kuò)散n阱保護(hù)環(huán)寬度為1μm時(shí),雪崩擊穿電壓為13.2 V,3 dB帶寬可達(dá)1.6 GHz;過(guò)偏壓為1 V、2 V時(shí)最大探測(cè)效率分別高達(dá)52%和55%;在波長(zhǎng)500~800 nm之間器件響應(yīng)度較好,波長(zhǎng)為680 nm時(shí)單位響應(yīng)度峰值高達(dá)0.45 A/W.
【作者單位】: 重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院/國(guó)際半導(dǎo)體學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 單光子雪崩二極管 標(biāo)準(zhǔn).μm CMOS工藝 保護(hù)環(huán) 深n阱 響應(yīng)度 dB帶寬 光子探測(cè)效率
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(No.61404019)資助~~
【分類號(hào)】:TN312.7
【正文快照】: 0m 光電探測(cè)技術(shù)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)展,對(duì)其核心部件一光電探測(cè)器提出了更高要求2].傳統(tǒng)的光電倍增管(Photomultiplier Tube,PMT)、雪崩光電二極管(AvalanchePhoto Diode,APD)探測(cè)器由于其內(nèi)部雪崩增益有限、讀出機(jī)制緩慢、固有噪聲較大等缺點(diǎn),已無(wú)法滿足在高速情況下微弱光
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,本文編號(hào):942049
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