本文關鍵詞：SOI基鍺共振腔增強型光電探測器的制作與性能測試

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【摘要】：在超高真空化學氣相沉積設備上,利用低溫生長的硅鍺和鍺作為緩沖層,在SOI襯底上成功外延出高質量的鍺薄膜.基于諧振腔增強型探測器(RCE)理論,模擬優(yōu)化了有源層和上下反射層的厚度尺寸.傳輸矩陣方法計算結果顯示:將SOI襯底自有二氧化硅、硅層作為一對下反射層的情況下,取2對SiO_2/Ta_2O_5作為上反射層時,量子效率可以達到接近56%.制作的SOI基鍺光電探測器,暗電流密度為0.65 m A·cm~(-2).在8 V的偏壓下,探測器在1 550 nm處響應度1.45 m A·W~(-1),可以觀察到探測器的共振現象.
【作者單位】： 廈門華廈學院信息與機電工程系;集美大學誠毅學院;廈門大學物理系光子學研究中心;
【關鍵詞】： 鍺 共振腔增強型 SOI 光電探測器
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61474094) 福建省中青年教師教育科研基金資助項目(JA15654)
【分類號】：TN36
【正文快照】： 0引言光電探測器是硅基光子學領域中重要的研究課題之一[1].硅基鍺材料與硅工藝互相兼容,容易實現硅基光電集成,一些關鍵器件諸如調制器[2]、激光器[3]和光電探測器[4]等都已經取得了較大進展,硅基外延薄膜鍺材料成為硅集成光電探測器的絕佳選擇.然而,由于Ge的吸收系數在波長1

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本文編號：938758