本文關(guān)鍵詞：基于聚合物-量子點共混的量子點發(fā)光二極管

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【摘要】：在ITO玻璃上制備了ITO/poly(3,4-ethylene dioxythiophene)∶poly(styrene sulphonate)(PEDOT∶PASS)/poly(N,N-bis(4-butylphenyl)-N,N-bis(phenyl)benzidine(poly-TPD)/QD/1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl(TPBi)/Li F/Al結(jié)構(gòu)的量子點發(fā)光二極管(QD-LED)。通過優(yōu)化量子點的濃度,發(fā)現(xiàn)濃度為30 mg/m L時的器件性能最優(yōu),最大外量子效率(EQE)為0.83%,最大發(fā)光亮度為4 076 cd/m2。為了進一步提高QD-LED的發(fā)光效率,將QD摻入聚合物poly(N-vinylcarbazole)(PVK)和1,3-Bis(5-(4-(tert-butyl)phenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)benzene(OXD-7)中,以使得注入的電子和空穴更加平衡,同時還有助于能量傳遞,降低QD團聚及修飾QD薄膜表面,減少激子猝滅效應(yīng)等。為此,通過旋涂和蒸鍍兩步法制備ITO/PEDOT∶PASS/poly-TPD/(PVK∶OXD-7)∶QD/TPBi/Li F/Al結(jié)構(gòu)的器件,改變(PVK∶OXD-7)∶QD比例(1∶1,1∶3,1∶5,0∶1),發(fā)現(xiàn)(PVK∶OXD-7)∶QD為1∶3時的QD-LED具有最優(yōu)性能,最大EQE為1.97%,相當(dāng)于非摻雜器件的2.3倍,并且發(fā)光峰沒有發(fā)生偏移。
【作者單位】： 五邑大學(xué)應(yīng)用物理與材料學(xué)院;南方科技大學(xué)電子與電氣工程系;
【關(guān)鍵詞】： 量子點發(fā)光二極管 聚合物PVK 摻雜
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61405089) 廣東省特支計劃科技創(chuàng)新青年拔尖人才基金(2014TQ01X015) 深圳市科創(chuàng)委基礎(chǔ)研究基金(JCYJ20140417105742713) 省部產(chǎn)學(xué)研合作專項資金項目計劃(粵科規(guī)財字【2014】211號)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言基于介質(zhì)量子點半導(dǎo)體的發(fā)光二極管(QD-LED)具有穩(wěn)定性好、壽命長、色純度高、制備工藝簡單的優(yōu)點,在下一代廣色域平板顯示和高顯指固態(tài)照明領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用[1-5]。自從第一個QD-LED出現(xiàn)以來,經(jīng)過多年的研究,QD-LED的性能得到了很大的改善,在實驗室成功實現(xiàn)了18%和20%

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1 劉玉敏,俞重遠(yuǎn),楊紅波,黃永箴;有限元法分析透鏡形自組織生長量子點的彈性應(yīng)變場分布(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2005年07期

2 徐萬幫;汪勇先;許榮輝;尹端l，

本文編號：928402