本文關(guān)鍵詞：TFT制程中高厚度ITO殘留因素的研究

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【摘要】：氧化銦錫(ITO)是薄膜晶體管工藝中最常用的透明導電薄膜,隨著OLED技術(shù)的發(fā)展,ITO作為透明陽極材料也被廣泛應(yīng)用。在高厚度(尤其是大于70nm)非晶ITO工藝過程中,由于多種因素的影響,很容易產(chǎn)生殘留,發(fā)生殘留后會嚴重影響產(chǎn)品質(zhì)量和項目進度。本文通過多次實驗測試,綜合多種不同厚度,尤其是針對高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影響殘留的多種因素,考察重點因素及影響規(guī)律,有效地修正工藝條件,為之后的項目和生產(chǎn)過程提供了很好的參考價值。
【作者單位】： 京東方科技集團股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 薄膜晶體管 非晶氧化銦錫 殘留 成膜 刻蝕
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： (BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD.,Beijing100176,China)1引言氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱ITO)薄膜是寬禁帶半導體材料[1],具有高電導率和可見光范圍的高透射率,被廣泛應(yīng)用到光電器件中[2]。ITO薄膜的制備方法有很多,如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。隨著顯示技術(shù)的高，

本文編號：928077