本文關(guān)鍵詞：基于硅與鍺材料的改進(jìn)集成雪崩光電二極管（英文）

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【摘要】：提出了一種改進(jìn)的集成雪崩光電二極管器件結(jié)構(gòu),由硅和鍺材料的雪崩光電二極管結(jié)構(gòu)集成,分別包含吸收區(qū)、電荷區(qū)和倍增區(qū)結(jié)構(gòu)。該改進(jìn)雪崩光電二極管對(duì)光線波長(zhǎng)的探測(cè)范圍擴(kuò)展到200~1 400 nm。對(duì)雪崩光電二極管的關(guān)鍵參數(shù),如器件內(nèi)電場(chǎng)分布、暗電流、光電流、增益和光響應(yīng)等進(jìn)行了分析。仿真結(jié)果表明改進(jìn)雪崩光電二極管的擊穿電壓為145 V。當(dāng)陰極偏置電壓為140 V時(shí),該器件對(duì)900 nm波長(zhǎng)光線的峰值響應(yīng)可以達(dá)到22 A/W。在器件擊穿之前,400 nm波長(zhǎng)光線的電流增益可以對(duì)達(dá)到50。對(duì)改進(jìn)雪崩光電二極管器件的工藝流程也進(jìn)行了討論。
【作者單位】： 哈爾濱工程大學(xué)信息與通信工程學(xué)院;同方威視技術(shù)股份有限公司;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所;
【關(guān)鍵詞】： 雪崩光電二極管 波長(zhǎng)范圍 器件仿真
【基金】：黑龍江省自然科學(xué)基金(F201413) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(HEUCF130818)
【分類號(hào)】：TN312.7
【正文快照】： 0 IntroductionThe explosive spread of the internet has increasedthe demand for highly sensitive optical detectors forhigh bit rate optical fiber communication systems[1-2].The avalanche photodiode(APD)is now findingacceptance in an increasing range of ap

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5 金豪U，

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