發(fā)布時間：2017-09-26 05:04

  本文關(guān)鍵詞：柔性環(huán)境應(yīng)變對InGaAsP量子阱材料增益的影響

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【摘要】：本文采用k×p方法,從能帶結(jié)構(gòu)出發(fā),研究了柔性環(huán)境應(yīng)變對于InGaAsP量子阱增益的影響.計算出在不同注入載流子濃度情況下,垂直(z)方向和水平(x)方向應(yīng)變對于不同組分InGaAsP量子阱TE,TM模增益譜的影響,發(fā)現(xiàn)z方向壓應(yīng)變的主要作用是使TE模的增益峰位置發(fā)生藍移,并提高TM模的增益峰的數(shù)值;x方向壓應(yīng)變使TE增益峰位置發(fā)生紅移、TM模增益峰位置發(fā)生藍移,并降低TM模增益峰的數(shù)值.而z方向張應(yīng)變的主要作用是使TE模的增益峰位置發(fā)生紅移,并降低TM模的增益峰的數(shù)值;x方向張應(yīng)變使TE增益峰位置發(fā)生藍移、TM模增益峰位置發(fā)生紅移,并提高TM模增益峰的數(shù)值.進一步得出為保持InGaAsP量子阱材料增益的波動變化量不超過30%、增益峰位置移動量不超過20 nm,柔性環(huán)境對其施加的應(yīng)變應(yīng)控制在3‰以內(nèi).
【作者單位】： 清華大學(xué)電子工程系信息科學(xué)與技術(shù)國家實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 應(yīng)變 InGaAsP量子阱 增益譜
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(編號:2015CB351900) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(編號:2015AA017101) 國家自然科學(xué)基金(批準號:61574082,51561165012,61176015,61176059,61210014,61321004,61307024) 清華大學(xué)自主科研計劃(編號:20131089364)資助項目
【分類號】：O471.1
【正文快照】： 基于轉(zhuǎn)印的柔性無機電子器件兼有柔性襯底可引入新的技術(shù)應(yīng)用可能性,但是目前尚未有人研究延展、性能與無機電子器件相媲美的優(yōu)勢,引起了人In Ga As P材料在環(huán)境應(yīng)變下性能的變化.本文利用們廣泛的研究興趣[1 4].但是無機電子器件在轉(zhuǎn)印至k?p方法,首先研究了環(huán)境應(yīng)變對于In G

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本文編號：921592