發(fā)布時(shí)間：2017-09-26 05:04

  本文關(guān)鍵詞：柔性環(huán)境應(yīng)變對InGaAsP量子阱材料增益的影響

  更多相關(guān)文章： 應(yīng)變 InGaAsP量子阱 增益譜

【摘要】：本文采用k×p方法,從能帶結(jié)構(gòu)出發(fā),研究了柔性環(huán)境應(yīng)變對于InGaAsP量子阱增益的影響.計(jì)算出在不同注入載流子濃度情況下,垂直(z)方向和水平(x)方向應(yīng)變對于不同組分InGaAsP量子阱TE,TM模增益譜的影響,發(fā)現(xiàn)z方向壓應(yīng)變的主要作用是使TE模的增益峰位置發(fā)生藍(lán)移,并提高TM模的增益峰的數(shù)值;x方向壓應(yīng)變使TE增益峰位置發(fā)生紅移、TM模增益峰位置發(fā)生藍(lán)移,并降低TM模增益峰的數(shù)值.而z方向張應(yīng)變的主要作用是使TE模的增益峰位置發(fā)生紅移,并降低TM模的增益峰的數(shù)值;x方向張應(yīng)變使TE增益峰位置發(fā)生藍(lán)移、TM模增益峰位置發(fā)生紅移,并提高TM模增益峰的數(shù)值.進(jìn)一步得出為保持InGaAsP量子阱材料增益的波動(dòng)變化量不超過30%、增益峰位置移動(dòng)量不超過20 nm,柔性環(huán)境對其施加的應(yīng)變應(yīng)控制在3‰以內(nèi).
【作者單位】： 清華大學(xué)電子工程系信息科學(xué)與技術(shù)國家實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 應(yīng)變 InGaAsP量子阱 增益譜
【基金】：國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(編號(hào):2015CB351900) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(編號(hào):2015AA017101) 國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61574082,51561165012,61176015,61176059,61210014,61321004,61307024) 清華大學(xué)自主科研計(jì)劃(編號(hào):20131089364)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：O471.1
【正文快照】： 基于轉(zhuǎn)印的柔性無機(jī)電子器件兼有柔性襯底可引入新的技術(shù)應(yīng)用可能性,但是目前尚未有人研究延展、性能與無機(jī)電子器件相媲美的優(yōu)勢,引起了人In Ga As P材料在環(huán)境應(yīng)變下性能的變化.本文利用們廣泛的研究興趣[1 4].但是無機(jī)電子器件在轉(zhuǎn)印至k?p方法,首先研究了環(huán)境應(yīng)變對于In G

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 蔡敏,劉文明;第Ⅱ類量子阱中的激子束縛能(英文)[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1989年04期

2 袁國勇,楊世平,許景洲,劉德,牛海燕;斜磁場作用下三角形量子阱中的混沌[J];河北師范大學(xué)學(xué)報(bào);2001年02期

3 殷雯,賴云忠,嚴(yán)啟偉,梁九卿;電子在周期驅(qū)動(dòng)耦合量子阱中的振蕩[J];物理學(xué)報(bào);2003年08期

4 鄧永晴,郭康賢,于鳳梅,俞友賓,王瑞強(qiáng);雙量子阱中的子帶光吸收(英文)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2005年02期

5 張國鋒;;電子在耦合量子阱中振蕩的新解法[J];物理學(xué)報(bào);2007年07期

6 但偉;邵明珠;;非對稱量子阱與系統(tǒng)的本征值和本征函數(shù)[J];微納電子技術(shù);2008年05期

7 邵明珠;羅詩裕;;超晶格量子阱的空穴躍遷與材料的光電性質(zhì)[J];東莞理工學(xué)院學(xué)報(bào);2010年01期

8 高鼎三;量子阱激光器[J];半導(dǎo)體光電;1981年02期

9 廖先炳;;圖案化量子阱半導(dǎo)體注入式激光器[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1989年01期

10 徐仲英 ,孔梅影;半導(dǎo)體超晶格量子阱研究[J];現(xiàn)代物理知識(shí);1990年03期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 翟利學(xué);劉建軍;;磁場作用下拋物形量子阱線中的帶電施主離子的性質(zhì)[A];第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

2 胡西多;羅詩裕;邵明珠;;超晶格量子阱光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)系統(tǒng)的全局分叉與混沌行為[A];第11屆全國發(fā)光學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

3 唐晉宇;康偉;項(xiàng)若飛;張進(jìn);陳長清;葉朝輝;;AlN/GaN耦合雙量子阱子帶波函數(shù)及紅外波段子帶躍遷[A];第十三屆全國紅外加熱暨紅外醫(yī)學(xué)發(fā)展研討會(huì)論文及論文摘要集[C];2011年

中國重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 常麗君;量子阱可用作高效能量收集器[N];科技日報(bào);2013年

2 璐璐;世界首只鎵銦氮砷、鎵砷多量子探測器研制成功[N];中國有色金屬報(bào);2005年

3 ;高光速通信系統(tǒng)[N];科技日報(bào);2000年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 周海春;金屬—分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)中的光學(xué)Tamm態(tài)[D];華中科技大學(xué);2012年

2 王光緒;硅基LED量子阱相關(guān)特性及芯片p面技術(shù)研究[D];南昌大學(xué);2012年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 賀利軍;超晶格量子阱光學(xué)性質(zhì)的研究[D];山東大學(xué);2005年

2 陳紅葉;強(qiáng)磁場下量子阱中D～-中心的束縛態(tài)[D];河北師范大學(xué);2002年

3 張恒;GaN和SnS_2基低維體系的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)[D];河南師范大學(xué);2015年

4 高玲;介電量子阱線中的激子態(tài)[D];河北師范大學(xué);2006年

5 張帥;THz量子阱探測器：設(shè)計(jì)、性能計(jì)算與提高[D];上海交通大學(xué);2014年

6 李衛(wèi)艷;無限深GaAs量子阱線中帶電激子體系的變分計(jì)算[D];河北師范大學(xué);2006年

7 邸冰;量子阱線中中性施主束縛激子的性質(zhì)[D];河北師范大學(xué);2004年

8 毛飛龍;表面等離子體微腔中的光學(xué)模式及其在多色量子阱探測器中的應(yīng)用[D];復(fù)旦大學(xué);2012年

9 王雪峰;方形量子阱線中中性施主束縛激子（D～0，，X）體系的性質(zhì)[D];河北師范大學(xué);2005年

10 陳曉芳;無限深GaAs量子阱線中雙激子的性質(zhì)[D];河北師范大學(xué);2005年

本文編號(hào)：921592