本文關(guān)鍵詞：帶電粒子注入硅的輻照損傷模擬研究

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【摘要】：利用SRIM軟件計(jì)算模擬不同質(zhì)量的帶電粒子射入硅的射程、能量損失、硅損傷情況。結(jié)果表明,入射帶電粒子在硅中分布的最大濃度位置位于其投影射程處,且隨粒子質(zhì)量的增加而減少;入射帶電粒子的質(zhì)量與硅的質(zhì)量比近似小于1.8時(shí),入射帶電粒子損失給電子的能量與反沖硅原子損失給電子的能量之比1,否則小于1;電離能損隨入射帶電粒子質(zhì)量的增加而減少;聲子能損隨入射帶電粒子質(zhì)量的增加而增加;入射帶電粒子在硅中產(chǎn)生的移位和空穴隨入射離子質(zhì)量的增加而增加較快,而替位碰撞增加緩慢。
【作者單位】： 南華大學(xué)核科學(xué)技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 帶電粒子 輻照損傷 能量損失 硅
【基金】：湖南省教育廳科學(xué)研究資助項(xiàng)目(13C811)
【分類號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 0引言晶體硅作為集成電路最重要的襯底材料及半導(dǎo)體探測(cè)器的探測(cè)介質(zhì),其質(zhì)量對(duì)集成電路芯片各項(xiàng)性能和半導(dǎo)體探測(cè)器輸出信號(hào)都有著直接的影響。隨著航空、航天、核電等領(lǐng)域的高速發(fā)展,越來(lái)越多的半導(dǎo)體器件和集成電路都需要在輻射環(huán)境中工作,其總會(huì)受到輻射的影響,可能會(huì)極大

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本文編號(hào)：921166