本文關(guān)鍵詞：硅片方塊電阻計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)裝置研制

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【摘要】：對(duì)測(cè)量方塊電阻的雙配置四探針法進(jìn)行了研究,從理論上分析了該方法的優(yōu)點(diǎn):測(cè)量結(jié)果與探針間距無(wú)關(guān),可使用不等間距探針頭,具有自動(dòng)修正邊界影響的功能,不必尋找修正因子,論述了RS大小樣片及邊界附近的測(cè)試原理,給出了RS的計(jì)算公式。研制了基于雙配置四探針法的硅片方塊電阻計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)裝置,論述了該裝置的軟硬件設(shè)計(jì),為校準(zhǔn)硅片方塊電阻標(biāo)準(zhǔn)樣片提供了技術(shù)手段。解決了硅片方塊電阻參數(shù)的量值傳遞問(wèn)題。
【作者單位】： 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院;
【關(guān)鍵詞】： 方塊電阻 雙配置四探針法 計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)裝置
【分類號(hào)】：TN405
【正文快照】： 1引言隨著科技的進(jìn)步,微電子技術(shù)的發(fā)展可以說(shuō)日新月異,電路的集成化程度也越來(lái)越高,電路的功能也越來(lái)越強(qiáng)大,對(duì)制作集成電路的各種半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量的要求也越來(lái)越高。方塊電阻參數(shù)是與芯片制作工藝過(guò)程相關(guān)的重要參數(shù),方塊電阻參數(shù)不僅影響材料特性而且影響器件特性,方塊電

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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2 羅江財(cái);;硅中擴(kuò)散參數(shù)的分析和測(cè)定[J];半導(dǎo)體光電;1990年02期

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本文編號(hào)：901616