本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用于WI-FI信號屏蔽模塊的高增益高功率放大器芯片設(shè)計(jì)

  更多相關(guān)文章： 功率放大器 InGaP/GaAs HBT WI-FI屏蔽 2.4GHz

【摘要】：現(xiàn)代無線通信技術(shù)日新月異,使人們的日常交流和通信變得十分便捷、有趣并且自由。良好可靠的便攜式移動通信設(shè)備已經(jīng)成為多數(shù)人生活中幾乎不可替代的一部分,而其中部分設(shè)備侵害到了一些傳統(tǒng)的行業(yè)。開發(fā)良好的屏蔽系統(tǒng),能有效地對這些有害信號進(jìn)行防范和阻斷。在屏蔽系統(tǒng)中,屏蔽信號通過發(fā)射機(jī)天線向空間輻射。功率放大器處于發(fā)射機(jī)前端,其性能直接影響系統(tǒng)的屏蔽范圍和系統(tǒng)能耗。針對工作在2.4GHz的WI-FI屏蔽系統(tǒng),一款性能優(yōu)良的功率放大器是其重點(diǎn)。本項(xiàng)目中放大器采用了2μm的InGaP/GaAs HBT晶體管工藝,由三級電路結(jié)構(gòu)組成,發(fā)射極的面積分別為320μm2、1280μm2、5120μm2,芯片面積僅為1.2mm×1.2mm。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,放大器采用5V供電電壓,在2.4GHz~2.5GHz頻率范圍內(nèi),功率線性增益在32dB左右,且能夠獲得良好的輸入匹配和輸出匹配。此時,其輸出P1dB大于34dBm,功率附加效率超過43%。
【關(guān)鍵詞】：功率放大器 InGaP/GaAs HBT WI-FI屏蔽 2.4GHz
【學(xué)位授予單位】：蘇州大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN722.75
【目錄】：

• 中文摘要4-5
• ABSTRACT5-9
• 第一章 緒論9-14
• 1.1 WI-FI屏蔽系統(tǒng)概論9-11
• 1.2 功率放大器研究現(xiàn)狀11-12
• 1.3 設(shè)計(jì)要求和指標(biāo)12-13
• 1.4 論文組織13-14
• 第二章 功率放大器的理論與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)14-27
• 2.1 功率放大器的分類14-17
• 2.1.1 放大模式功率放大器15-16
• 2.1.2 開關(guān)模式功率放大器16
• 2.1.3 工作模式選擇16-17
• 2.2 功率放大器器件選擇17-20
• 2.2.1 HBT與BJT相比的優(yōu)勢17
• 2.2.2 HBT與FET相比的優(yōu)勢17-18
• 2.2.3 半導(dǎo)體材料18-19
• 2.2.4 器件選擇19-20
• 2.3 功率放大器性能參數(shù)20-26
• 2.3.1 二端口網(wǎng)絡(luò)20-21
• 2.3.2 穩(wěn)定性21-22
• 2.3.3 功率增益22-24
• 2.3.4 效率24
• 2.3.5 線性度24-26
• 2.4 小結(jié)26-27
• 第三章 功率放大器的設(shè)計(jì)27-39
• 3.1 放大器的功率預(yù)算27-28
• 3.2 直流偏置設(shè)計(jì)28-30
• 3.2.1 無源偏置電路設(shè)計(jì)28-29
• 3.2.2 有源偏置電路設(shè)計(jì)29-30
• 3.3 阻抗匹配電路設(shè)計(jì)30-32
• 3.3.1 輸入、級間阻抗匹配30-31
• 3.3.2 輸出阻抗匹配31-32
• 3.3.3 阻抗匹配總結(jié)32
• 3.4 仿真32-35
• 3.4.1 阻抗匹配仿真33-34
• 3.4.2 增益和輸出功率仿真34-35
• 3.4.3 功率附加效率仿真35
• 3.5 版圖設(shè)計(jì)35-38
• 3.5.1 版圖設(shè)計(jì)要點(diǎn)35-36
• 3.5.2 元器件的設(shè)計(jì)36-37
• 3.5.3 放大器的版圖37-38
• 3.6 小結(jié)38-39
• 第四章 功率放大器的測試39-52
• 4.1 測試儀器39-41
• 4.2 測試方法41-42
• 4.2.1 在片測試41
• 4.2.2 鍵合測試41-42
• 4.2.3 封裝測試42
• 4.3 測試系統(tǒng)42-44
• 4.3.1 PCB板的設(shè)計(jì)42-43
• 4.3.2 測試系統(tǒng)設(shè)計(jì)43-44
• 4.4 測試過程與結(jié)果44-50
• 4.4.1 小信號S參數(shù)的測試44-46
• 4.4.2 輸出功率的測試46-48
• 4.4.3 效率測試48-49
• 4.4.4 EVM測試49-50
• 4.5 測試結(jié)果對比50-51
• 4.6 小結(jié)51-52
• 第五章 總結(jié)與展望52-54
• 5.1 總結(jié)52-53
• 5.2 展望53-54
• 參考文獻(xiàn)54-58
• 致謝58-59

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 何旭;鄭遠(yuǎn);朱彥青;陳新宇;楊磊;;應(yīng)用于WLAN InGaP/GaAs HBT線性功率放大器[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2015年01期

2 白大夫,劉訓(xùn)春,王潤梅,袁志鵬,孫海鋒;高性能新結(jié)構(gòu)InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2004年07期

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 尤覽;射頻放大器的效率增強(qiáng)與線性化技術(shù)研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

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本文編號：901562