發(fā)布時間：2017-09-20 22:27

  本文關(guān)鍵詞：考慮可移動電荷的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管電流模型

  更多相關(guān)文章： 隧穿場效應(yīng)晶體管 可移動電荷 表面勢 漏電流 解析模型

【摘要】：為了解決隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)在強反型區(qū)表面勢和漏電流精度下降的問題,建立了一種考慮可移動電荷影響的雙柵TFET電流模型。首先求解考慮可移動電荷貢獻的二維電勢泊松方程,推導(dǎo)出表面勢、電場的解析表達式;然后利用求得的電場表達式和Kane模型得到載流子的隧穿產(chǎn)生率;最后利用切線近似法計算隧穿產(chǎn)生率在隧穿區(qū)域的積分,建立了漏電流的簡潔解析模型。利用器件數(shù)值仿真軟件Sentaurus在不同器件參數(shù)下對所建模型進行了驗證,仿真結(jié)果表明:考慮可移動電荷的影響能夠提高強反型區(qū)漏電流模型的精度;在相同器件參數(shù)條件下,考慮可移動電荷的模型比忽略可移動電荷的模型精度提高了20%以上。
【作者單位】： 西安交通大學電子與信息工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 隧穿場效應(yīng)晶體管 可移動電荷 表面勢 漏電流 解析模型
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61176038) 陜西省工業(yè)科技攻關(guān)計劃資助項目(2016GY-075)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 隨著特征尺寸趨近物理極限,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)面臨更加嚴峻的挑戰(zhàn),如短溝道效應(yīng)加劇、泄漏電流過高以及60mV/dec的亞閾值擺幅限制[1-5]等。研究表明,隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)能有效地解決上述MOSFET問題。由于TFET有一個內(nèi)建的隧穿勢壘,因此它能有效地抑制

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