大功率IGBT有源驅(qū)動技術的研究現(xiàn)狀與發(fā)展
發(fā)布時間:2017-09-20 21:46
本文關鍵詞:大功率IGBT有源驅(qū)動技術的研究現(xiàn)狀與發(fā)展
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【摘要】:針對大功率IGBT有源驅(qū)動技術的特點,對目前大功率IGBT有源驅(qū)動電路輔助電源產(chǎn)生、IGBT工作參數(shù)的測量估計、結溫的監(jiān)測與估計、有源鉗位技術的國內(nèi)外動態(tài)進行了綜述,提出了大功率IGBT有源驅(qū)動技術的可行性,指出了該技術存在的問題.歸納分析國內(nèi)外研究成果表明,大功率IGBT有源驅(qū)動技術還不完善,有很多理論和技術問題需要進一步探索和研究.
【作者單位】: 空軍預警學院;
【關鍵詞】: 大功率IGBT 端口參數(shù)檢測與估計 有源驅(qū)動 結溫估計
【基金】:國家自然科學基金資助項目(51177170)
【分類號】:TN322.8
【正文快照】: 大功率絕緣柵極雙極性晶體管(insulated gatebipolar transistor,IGBT)是目前實現(xiàn)大功率電力電子裝置智能化、大容量、高功率、高可靠性的核心器件,與大功率IGBT直接相關的門極驅(qū)動技術是保證功率器件安全可靠工作的關鍵因素之一.本文提出的大功率IGBT是指:UDS32400?V、IDS312,
本文編號:890607
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