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大功率IGBT有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究現(xiàn)狀與發(fā)展

發(fā)布時(shí)間:2017-09-20 21:46

  本文關(guān)鍵詞:大功率IGBT有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究現(xiàn)狀與發(fā)展


  更多相關(guān)文章: 大功率IGBT 端口參數(shù)檢測與估計(jì) 有源驅(qū)動(dòng) 結(jié)溫估計(jì)


【摘要】:針對大功率IGBT有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)的特點(diǎn),對目前大功率IGBT有源驅(qū)動(dòng)電路輔助電源產(chǎn)生、IGBT工作參數(shù)的測量估計(jì)、結(jié)溫的監(jiān)測與估計(jì)、有源鉗位技術(shù)的國內(nèi)外動(dòng)態(tài)進(jìn)行了綜述,提出了大功率IGBT有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)的可行性,指出了該技術(shù)存在的問題.歸納分析國內(nèi)外研究成果表明,大功率IGBT有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)還不完善,有很多理論和技術(shù)問題需要進(jìn)一步探索和研究.
【作者單位】: 空軍預(yù)警學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】大功率IGBT 端口參數(shù)檢測與估計(jì) 有源驅(qū)動(dòng) 結(jié)溫估計(jì)
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51177170)
【分類號】:TN322.8
【正文快照】: 大功率絕緣柵極雙極性晶體管(insulated gatebipolar transistor,IGBT)是目前實(shí)現(xiàn)大功率電力電子裝置智能化、大容量、高功率、高可靠性的核心器件,與大功率IGBT直接相關(guān)的門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)是保證功率器件安全可靠工作的關(guān)鍵因素之一.本文提出的大功率IGBT是指:UDS32400?V、IDS312,

本文編號:890607

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