本文關鍵詞：膠體微球單層薄膜的制備、表征及應用

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【摘要】：為使用大面積均勻分布的微球掩模制作納米柱LED,對膠體微球單層薄膜的自組裝技術進行了研究。采用旋涂法、滴定法和氣液界面法,對2μm和455nm兩種粒徑的膠體微球進行自組裝實驗,并使用掃描電子顯微鏡進行觀察和比較,分析了三種方法的優(yōu)缺點。實驗結果表明,旋涂法在制備過程中容易出現多層堆積現象;滴定法容易形成單層薄膜,但膠體微球較為稀疏;氣液界面法可以實現較大面積的單層薄膜,膠體微球均勻分布,而且適用于各種基片,是一種簡單有效的自組裝方法。優(yōu)選氣液界面法,在GaN基LED外延片上制備了均勻分布的納米柱結構,驗證了這種方法用于納米柱LED芯片制備的可行性。
【作者單位】： 華南理工大學廣東省光電工程技術研究開發(fā)中心;廣州現代產業(yè)技術研究院;
【關鍵詞】： 膠體微球 自組裝技術 氣液界面法 納米柱LED 微球掩膜
【基金】：863國家高技術研究發(fā)展計劃(2014AA032609) 國家自然科學基金(61404050) 廣東省重大科技專項(2014B010119002) 中央高校基本科研業(yè)務費專項資金(2015ZM131)資助項目
【分類號】：O484;TN312.8
【正文快照】： 1引言目前商品化的高亮度藍、綠光LED都是在In-GaN/GaN材料上實現的。在外延片的多量子阱結構中,InGaN阱層與GaN壘層由于晶格失配和熱膨脹失配存在較大的應變,從而降低了LED的內量子效率。為釋放外延層的應變,可通過干法刻蝕將普通平面結構制作成納米柱結構[1]。干法刻蝕工藝，

本文編號：882691